HY5S5B2CLFP-6EDR-C 是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的高性能低功耗DRAM芯片,属于LPDDR5(低功耗双倍数据速率第五代)内存技术。该芯片专为移动设备、高性能计算(HPC)、图形加速和嵌入式系统设计,提供高带宽和低功耗运行特性,适合需要高吞吐量和低功耗管理的应用场景。
容量:2Gb(256MB)
组织结构:x16位
接口类型:LPDDR5
工作电压:1.1V(核心电压VDD)
电源电压:1.8V(I/O电压VDDQ)
时钟频率:最高支持6400Mbps(等效时钟速率)
封装形式:134-ball BGA(小型球栅阵列)
工作温度范围:-40°C至+85°C
HY5S5B2CLFP-6EDR-C 是一款具有先进低功耗特性的LPDDR5 SDRAM芯片,具备高数据传输速率和能效比。该芯片支持多级Bank(Bank Group)架构,提升数据访问效率,同时具备预取缓冲技术,降低访问延迟。
其低电压设计(1.1V核心电压和1.8V I/O电压)显著降低了功耗,特别适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外,该芯片支持动态频率调整(DFS)和多种节能模式,包括深度掉电模式和自刷新模式,以进一步优化能耗。
在性能方面,HY5S5B2CLFP-6EDR-C 提供高达6400Mbps的数据速率,支持突发长度BL16和预取8n架构,提高了数据吞吐能力。该芯片还具备强大的错误检测与纠正功能,增强数据完整性与系统稳定性。
封装方面,采用134-ball BGA封装,体积小巧,适合空间受限的嵌入式系统设计。其宽温范围(-40°C至+85°C)也使其适用于工业级和车载应用。
HY5S5B2CLFP-6EDR-C 广泛应用于高性能移动设备、智能终端、图形处理器(GPU)、嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统(IVI)以及边缘计算设备等领域。由于其低功耗和高带宽特性,它特别适合用于需要实时数据处理的AI加速模块、图像处理系统和便携式电子设备。
MT58L256A2B4-053Q25A, W66L256012AGI-6, K4U6432AM-LDC