时间：2025/9/2 6:33:20
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HY5S5B2CLFP-6EDR-C 是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高性能低功耗DRAM芯片，属于LPDDR5（低功耗双倍数据速率第五代）内存技术。该芯片专为移动设备、高性能计算（HPC）、图形加速和嵌入式系统设计，提供高带宽和低功耗运行特性，适合需要高吞吐量和低功耗管理的应用场景。
容量：2Gb（256MB）
组织结构：x16位
接口类型：LPDDR5
工作电压：1.1V（核心电压VDD）
电源电压：1.8V（I/O电压VDDQ）
时钟频率：最高支持6400Mbps（等效时钟速率）
封装形式：134-ball BGA（小型球栅阵列）
工作温度范围：-40°C至+85°C
HY5S5B2CLFP-6EDR-C 是一款具有先进低功耗特性的LPDDR5 SDRAM芯片，具备高数据传输速率和能效比。该芯片支持多级Bank（Bank Group）架构，提升数据访问效率，同时具备预取缓冲技术，降低访问延迟。
其低电压设计（1.1V核心电压和1.8V I/O电压）显著降低了功耗，特别适用于电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，该芯片支持动态频率调整（DFS）和多种节能模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，以进一步优化能耗。
在性能方面，HY5S5B2CLFP-6EDR-C 提供高达6400Mbps的数据速率，支持突发长度BL16和预取8n架构，提高了数据吞吐能力。该芯片还具备强大的错误检测与纠正功能，增强数据完整性与系统稳定性。
封装方面，采用134-ball BGA封装，体积小巧，适合空间受限的嵌入式系统设计。其宽温范围（-40°C至+85°C）也使其适用于工业级和车载应用。
HY5S5B2CLFP-6EDR-C 广泛应用于高性能移动设备、智能终端、图形处理器（GPU）、嵌入式系统、工业控制设备、车载信息娱乐系统（IVI）以及边缘计算设备等领域。由于其低功耗和高带宽特性，它特别适合用于需要实时数据处理的AI加速模块、图像处理系统和便携式电子设备。
MT58L256A2B4-053Q25A, W66L256012AGI-6, K4U6432AM-LDC
