类型：MOS FET输出光电耦合器
　　封装形式：S-MINI（表面贴装）
　　通道数：1通道
　　最大负载电压（VDSON）：60 V
　　连续通态电流（ION）：600 mA（最大）
　　导通电阻（RON）：典型值8 Ω，最大12 Ω
　　输入正向电流（IF）：50 mA（最大）
　　输入反向电压（VR）：6 V
　　输出端击穿电压（BVDSS）：60 V（最小）
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Ton/Toff）：典型值0.4 ms / 0.2 ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘材料组：IIIa（相比漏电起痕指数CTI ≥ 400）
　　安全标准认证：UL、cUL、BSI（符合EN60950-1等信息设备安全标准）

G3VM-SW(TR)具备多项优异的技术特性，使其在现代电子系统中成为理想的固态开关解决方案。首先，该器件采用MOS FET作为输出元件，具有极低的导通电阻（典型值仅为8Ω），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了能效，并减少了散热需求。由于其为电压驱动型器件，且输入侧为红外LED，因此只需微弱的驱动电流（通常5～20mA即可完全导通），实现了低功耗控制与高隔离性能的完美结合。
　　其次，G3VM-SW(TR)具备快速的开关响应能力，典型导通时间（Ton）为0.4ms，关断时间（Toff）为0.2ms，远快于传统电磁继电器，适用于需要高频切换的应用场合。同时，其无触点结构杜绝了机械疲劳、接触弹跳和电弧放电等问题，极大地增强了系统的可靠性和寿命，特别适合无人值守或维护困难的远程控制系统。
　　再者，该光电耦合器支持双向导通特性，输出端MOSFET可承受正负极性电压，因此可用于交流信号或双极性直流信号的切换，扩展了应用灵活性。配合高达5000Vrms的电气隔离电压，确保了主控电路与负载电路之间的安全隔离，有效防止噪声干扰和高压窜入导致的损坏。
　　此外，S-MINI封装不仅体积小巧（典型尺寸约3.8×2.1×2.0mm），还具备良好的热稳定性和焊接可靠性，适合自动化贴片生产。器件符合RoHS指令，不含铅和其他有害物质，满足现代绿色电子产品的要求。其宽工作温度范围（-20°C至+85°C）保证了在严苛环境下的稳定运行，适用于工业级应用场景。

G3VM-SW(TR)因其高性能、小尺寸和高可靠性，被广泛应用于多个高科技领域。在工业自动化控制系统中，常用于PLC模块、I/O接口板、传感器信号切换和小型执行器驱动，实现控制器与现场设备之间的安全隔离与信号传递。在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统或多路复用器，该器件可用于精密信号路径的切换，凭借其低导通电阻和无触点特性，确保信号完整性并减少失真。
　　在通信设备中，G3VM-SW(TR)可用于线路切换、音频/视频信号路由或电源管理单元中的负载开关，其快速响应和低噪声特性有助于提升系统响应速度和稳定性。医疗电子设备对其安全性和可靠性要求极高，该器件通过了严格的安规认证（如UL、BSI），可用于病人监护仪、诊断设备或便携式医疗仪器中的隔离控制回路。
　　此外，在消费类电子产品和嵌入式系统中，当需要以微控制器控制较高电压或电流负载时，G3VM-SW(TR)可作为理想的中间驱动元件，替代笨重的传统继电器，节省空间并提高系统集成度。它也可用于电池管理系统（BMS）、智能家居控制模块或安防系统中，执行电源通断、模式切换等功能。由于其支持双向导通，还可用于H桥电路或极性反转控制等特殊应用场合。

G3VM-61VY(TR)
　　G3VM-61GL(TR)
　　G3VM-21VR(TR)