时间：2025/12/27 0:22:13
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G3VM-S5(TR)是欧姆龙（OMRON）公司生产的一款超小型表面贴装型MOSFET继电器，属于其G3VM系列光耦继电器产品线。该器件采用先进的光控技术，结合了光电二极管阵列与功率MOSFET的结构，实现了无触点开关功能，具备高可靠性、长寿命和低功耗的特点。G3VM-S5(TR)特别适用于需要紧凑设计和高性能切换能力的电子设备中，如测试测量仪器、工业自动化控制系统、医疗设备以及通信设备等。该继电器采用4引脚SMD封装（SSIP-4），体积小巧，适合高密度PCB布局。由于其内部没有机械触点，因此不会出现传统电磁继电器常见的电弧、接触反弹或机械磨损问题，显著提升了系统的稳定性和耐用性。此外，G3VM-S5(TR)具有良好的输入输出隔离性能，能够有效防止噪声干扰，并支持直流和交流负载的切换。该器件在导通状态下呈现低导通电阻，确保了较小的电压降和功率损耗，有利于提高整体能效。G3VM-S5(TR)的输入端兼容标准逻辑电平驱动，便于与微控制器或其他数字电路直接接口，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。
类型：MOSFET继电器（无触点）
封装形式：SSIP-4（超小型表面贴装）
通道数：1
输入正向电流（IF）：50 mA
输入反向电压（VR）：5 V
输出负载电压（VOFF）：60 V
输出连续通态电流（IO）：200 mA
导通电阻（RON）：典型值8 Ω，最大值12 Ω
隔离电压（Viso）：5000 Vrms
响应时间（开）：典型值1 ms
响应时间（关）：典型值0.5 ms
工作温度范围：-20°C 至 +85°C
存储温度范围：-40°C 至 +125°C
回流焊温度：260°C（最大，10秒）
G3VM-S5(TR)的核心优势在于其基于光控MOSFET的固态开关架构，这种设计摒弃了传统机械触点，从根本上避免了因触点氧化、弹跳或电弧造成的失效风险，从而大幅延长了器件的使用寿命，通常可达数十万次甚至更高操作次数。其内部由一个砷化镓红外发光二极管（GaAs LED）作为输入光源，激发光电二极管阵列产生电压，驱动外部功率MOSFET栅极，实现对负载电路的控制。这种结构不仅保证了输入与输出之间的高电气隔离（高达5000 Vrms），还提供了优异的抗电磁干扰能力，适用于噪声敏感的应用环境。
该器件的导通电阻非常低，典型值仅为8 Ω，在200 mA负载电流下仅产生约1.6 V的压降，减少了能量损耗并降低了发热，有助于提升系统效率和热稳定性。同时，由于MOSFET的双向导通特性，G3VM-S5(TR)可以用于切换交流或直流信号，灵活性优于单向半导体开关。其快速的响应速度——开启时间约1 ms，关闭时间约0.5 ms，使其适用于需要高频切换的场合，例如自动测试设备中的信号路由或多路复用系统。
在可靠性方面，G3VM-S5(TR)经过严格的老化筛选和环境测试，能够在-20°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，满足工业级应用需求。其SSIP-4封装符合RoHS标准，支持无铅回流焊接工艺，适应现代绿色制造流程。此外，该器件具有极低的输入驱动功率要求，仅需50 mA的LED驱动电流即可可靠触发，可直接由微处理器I/O口或逻辑门电路驱动，无需额外的缓冲或放大电路，降低了整体系统成本和复杂度。
G3VM-S5(TR)广泛应用于各种需要小型化、高可靠性和长寿命开关功能的电子系统中。在自动测试设备（ATE）和数据采集系统中，它常被用作多路复用器或信号切换开关，用于精确控制模拟或数字信号路径的选择，得益于其低导通电阻和高隔离性能，能够保持信号完整性。在工业自动化领域，该器件可用于PLC模块、传感器接口电路或远程I/O单元中，实现对小功率执行器或指示灯的控制。由于其无触点特性，特别适合用于易燃易爆环境中，避免电火花引发安全隐患。
在医疗电子设备中，G3VM-S5(TR)因其高绝缘强度和低漏电流表现而受到青睐，可用于病人监护仪、诊断仪器或便携式医疗设备中的电源或信号切换部分，确保患者安全和设备稳定性。通信设备中也常见其身影，例如在电话交换系统、网络路由器或基站控制板中，用于线路选择或状态检测功能。
此外，消费类电子产品如高端音频设备、智能家居控制模块或精密仪器仪表也会采用此类光继电器，以替代传统电磁继电器，减小体积并提升系统响应速度和耐久性。其表面贴装封装形式非常适合自动化贴片生产，有利于提高组装效率和产品一致性。
G3VM-61VY(TR)
TLP222G
AQY212EH
