类型：MOS FET继电器（光继电器）
　　通道数：1（单通道）
　　触点形式：常开（NO）
　　最大负载电压（Vmax）：60 V（AC/DC）
　　连续通态电流（Ion）：2 A
　　导通电阻（Ron）：典型值35 mΩ，最大50 mΩ
　　输入正向电流（IF）：最大50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出电容（Cout）：典型值120 pF
　　隔离电压（Viso）：5,000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-on time）：典型值1 ms
　　响应时间（Turn-off time）：典型值0.5 ms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：SOP-4（表面贴装）
　　耐压（Output Off-State Leakage Current）：最大1 μA（在60 V时）
　　输入LED波长：约940 nm（红外）

G3VM-S3的核心特性之一是其超低导通电阻，典型值仅为35 mΩ，这使得它在大电流应用中具有极低的功耗和发热，显著提升了能效并减少了散热设计的复杂性。该特性特别适用于电池供电设备或需要高效能量传输的系统。由于其MOSFET输出结构，器件在导通状态下表现为一个近似理想的开关，几乎不会引入额外的电压降，从而保证了信号完整性。此外，低导通电阻也意味着在驱动电机、电磁阀或加热元件等感性或阻性负载时，能够更有效地传递功率，减少能量损耗。
　　另一个关键特性是其出色的电气隔离能力。G3VM-S3提供高达5,000 Vrms的输入-输出隔离电压，符合国际安全标准，能够在高压与低压电路之间建立可靠的隔离屏障，防止故障传播并保护操作人员。这种高隔离性能使其广泛应用于医疗设备、工业控制系统以及需要安全隔离的电源管理模块中。同时，由于其光耦合机制，输入端的控制信号与输出端的负载电路完全电隔离，有效抑制了地环路噪声和电磁干扰，提高了系统的抗干扰能力和稳定性。
　　G3VM-S3还具备快速的开关响应能力，开通时间典型值为1毫秒，关断时间更短，仅为0.5毫秒。这一特性使其适用于需要频繁切换的自动化控制场景，如PLC输出模块、自动测试设备（ATE）中的信号路由切换等。与传统电磁继电器通常几十毫秒的响应时间相比，G3VM-S3显著提升了系统响应速度。此外，由于没有机械运动部件，该器件不会产生电弧或触点氧化，因此可在易燃易爆环境中安全使用，且寿命远超机械继电器，可达数十万次甚至上百万次开关操作。
　　该器件采用SOP-4小型表面贴装封装，节省PCB空间，便于自动化贴片生产，适合现代电子产品的小型化和高集成度趋势。其工作温度范围宽达-30°C至+85°C，可在恶劣环境条件下稳定运行，适用于工业级应用。同时，G3VM-S3的输入驱动兼容TTL和CMOS电平，只需约5–20 mA的LED驱动电流即可可靠触发，易于与微控制器、FPGA或其他数字逻辑电路直接接口，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。

G3VM-S3广泛应用于需要高可靠性、小尺寸和快速响应的电子控制系统中。在工业自动化领域，它常用于可编程逻辑控制器（PLC）的I/O模块中，作为数字输出通道来控制小型继电器、指示灯、电磁阀或传感器供电电路。由于其固态结构和长寿命，特别适合在需要频繁开关操作的工厂自动化设备中替代传统电磁继电器，减少维护成本和停机时间。
　　在测试与测量设备中，G3VM-S3被用于自动测试设备（ATE）的信号开关矩阵，实现多路信号的精确路由和隔离。其低导通电阻和低输出电容有助于保持信号的完整性，尤其适用于模拟信号切换和高频数字信号传输。此外，在数据采集系统中，它可以用来切换不同传感器的输入通道，确保测量精度不受开关元件本身的影响。
　　在通信设备中，G3VM-S3可用于电源冗余切换、线路保护或热插拔控制电路中，提供快速、可靠的电源路径切换功能。其高隔离电压也使其适用于电信基站、网络交换机等需要电气隔离的场合。
　　医疗电子设备同样受益于G3VM-S3的高安全性和稳定性。例如，在病人监护仪、便携式诊断设备或实验室分析仪器中，该器件可用于隔离高压部分与人体接触的低压电路，满足医疗安全标准。其无噪音开关特性也避免了对敏感生物信号检测造成干扰。
　　此外，G3VM-S3还可用于电池管理系统（BMS）、智能家居控制模块、安防系统以及汽车电子中的辅助控制电路。其表面贴装封装便于批量生产，适合消费类电子和汽车电子的大规模制造需求。无论是需要电气隔离、低功耗还是高可靠性的应用场景，G3VM-S3都能提供优异的性能表现。

G3VM-61VY,G3VM-41VY,G3VM-S102T