时间：2025/12/26 12:13:18
阅读：14
BAS20Q-13-F是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装小信号肖特基二极管，专为高频、高速开关应用设计。该器件采用SOD-323（SC-76）小型封装，具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点，适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备和通信系统中。BAS20Q-13-F符合AEC-Q101汽车级认证标准，表明其具备在严苛环境条件下稳定工作的能力，适合用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、传感器接口和电源管理电路等。该二极管的材料结构基于铂-硅势垒技术，确保了良好的热稳定性和可靠性。此外，BAS20Q-13-F还满足RoHS环保要求，无铅且符合绿色电子产品的发展趋势。其命名中的‘Q’代表符合汽车级标准，‘-13-F’表示编带包装形式，便于自动化贴片生产，提高制造效率。由于其优异的电气性能和高可靠性，BAS20Q-13-F被广泛应用于现代电子系统中需要高效信号整流和保护的场合。
类型：肖特基二极管
封装/外壳：SOD-323（SC-76）
配置：单只二极管
反向耐压（VRRM）：70V
平均整流电流（IO）：200mA
正向电压（VF）：典型值580mV（在10mA时），最大值850mV（在10mA时）
反向漏电流（IR）：最大5μA（在70V、25°C时）
反向恢复时间（trr）：≤4ns
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
热阻抗（RθJA）：约450°C/W
BAS20Q-13-F的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成整流特性，显著降低了传统PN结二极管的正向导通压降。在典型工作条件下，其正向电压仅为580mV左右，远低于普通硅二极管的0.7V水平，从而减少了功率损耗，提高了系统能效。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并降低发热。
该器件的反向恢复时间极短，通常不超过4纳秒，使其能够在高频开关电路中快速响应，避免因反向恢复延迟引起的能量损耗和电磁干扰问题。这一特性使其非常适合用于高速整流、信号解调、箝位电路以及开关电源中的续流或防倒灌应用。此外，快速的动态响应能力也使其在数字逻辑电路中用作电平移位或噪声抑制元件时表现出色。
BAS20Q-13-F通过了AEC-Q101认证，意味着它经历了严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、机械冲击和湿度敏感性评估等，确保其在汽车发动机舱或外部传感器模块等恶劣环境中长期可靠运行。其宽达-55°C至+150°C的工作结温范围进一步增强了其在极端温度条件下的适应能力。
SOD-323封装体积小巧，尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.1mm，非常适合高密度PCB布局，支持回流焊工艺，并具有良好的热传导性能。此外，该器件具备较低的寄生电容，有助于减少高频信号路径中的干扰，提升整体电路性能。其低漏电流特性（最大5μA）也保证了在高阻抗电路或待机模式下不会产生显著的静态功耗。综合来看，BAS20Q-13-F是一款兼具高性能、高可靠性和小型化的汽车级肖特基二极管，适用于对品质要求极高的应用场景。
BAS20Q-13-F广泛应用于多种电子系统中，尤其是在汽车电子领域表现突出。它可以用于车载电源管理系统中的电压箝位与反向极性保护，防止电池接反而损坏后续电路。在DC-DC转换器中，该二极管可作为同步整流的辅助元件或用于轻载条件下的续流路径，提升转换效率。此外，在LED驱动电路中，BAS20Q-13-F可用于防止反向电压击穿LED，保障光源稳定性。
在通信设备中，该器件常用于高频信号检波、混频和限幅电路，得益于其快速响应能力和低结电容，可在射频前端模块中实现高效信号处理。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，BAS20Q-13-F被用于电池充电路径的隔离、多电源选择开关以及ESD保护电路，确保系统安全和能效优化。
工业控制系统中的传感器接口电路也常采用此类二极管进行信号调理和过压保护。例如，在模拟输入通道中，BAS20Q-13-F可用于将信号幅度限制在ADC允许范围内，防止瞬态电压损坏精密元件。同时，其高可靠性使其适用于工业自动化、医疗设备和安防监控等对长期稳定性要求较高的领域。总之，凭借其汽车级认证、小尺寸封装和优异的电气特性，BAS20Q-13-F已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。
BAS21Q-13-F
RB520S-40T1G
MBR0220T1G
PMGS210UNC,115
DMCA20UW-7
