类型：MOSFET输出光耦继电器
　　输入正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入正向电流（IF）：5mA（连续）
　　最大允许峰值电流（IFP）：1A（0.1ms脉冲）
　　输出导通电阻（RON）：典型值0.17Ω，最大值0.27Ω
　　输出耐压（VDS）：60V（最大值）
　　输出连续电流（IO）：2A（最大值）
　　输出峰值电流（IOP）：4A（10ms脉冲）
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　响应时间（Turn-ON）：典型值0.3ms
　　响应时间（Turn-OFF）：典型值0.2ms
　　封装形式：SSLP4（表面贴装型，4引脚）
　　尺寸（mm）：约2.8×2.3×1.9

G3VM-S1TR的核心技术优势在于其采用了先进的MOSFET输出结构与高效率红外LED耦合机制，实现了高效的电-光-电转换过程。这种设计不仅显著降低了驱动功耗，还提升了整体系统的能效表现。器件内部的两个串联连接的MOSFET结构有效防止了漏电流反向流动，增强了对感性负载的安全控制能力，特别适用于直流电机、电磁阀等复杂负载场景。其超低导通电阻（RON）保证了在大电流传输时的温升较小，减少了热损耗，提高了长期运行的稳定性。同时，由于没有机械运动部件，G3VM-S1TR不会产生电弧或接触弹跳现象，极大提升了开关动作的可靠性与重复精度。该器件具备出色的抗干扰性能，能够承受较高的共模瞬变电压，适合用于存在电磁干扰较强的工业环境中。G3VM-S1TR还具备快速的开关响应速度，开启时间仅需0.3ms左右，关断时间约0.2ms，满足高速数据采集系统或实时控制系统的需求。此外，其高达5000Vrms的电气隔离强度提供了强大的安全保障，可用于不同电位之间的信号传递与电源控制。封装方面，采用小型化SSLP4结构，节省PCB空间的同时便于自动化生产，提升制造效率。整个器件经过严格的老化筛选和可靠性测试，确保在高温、高湿、振动等恶劣条件下仍能稳定工作。这些综合特性使G3VM-S1TR成为替代传统电磁继电器的理想选择，尤其适合追求小型化、高可靠性和长寿命的应用场合。
　　另一个关键特性是其低输入驱动需求。G3VM-S1TR仅需5mA的输入电流即可完全导通，可直接由微控制器I/O口驱动，无需额外的晶体管或缓冲电路，从而简化了电路设计并降低了系统成本。这对于基于MCU的嵌入式系统尤为重要，尤其是在电池供电或低功耗应用场景中，能够显著减少控制部分的能耗。此外，器件具有良好的温度稳定性，即使在-40°C至+85°C的工作范围内，其电气性能变化也非常小，确保系统在整个温度区间内的一致性表现。G3VM-S1TR还具备一定的过载承受能力，能够在短时间内承受高达4A的峰值电流，适用于启动电流较大的容性或感性负载。其输出端的最大耐压为60V，足以覆盖大多数低压直流控制系统的需求，例如PLC模块、传感器接口、电源管理单元等。值得注意的是，该器件不具备双向导通能力，仅支持单向电流流动，因此在使用时需注意极性方向。总体而言，G3VM-S1TR凭借其优异的电气性能、坚固的结构设计和灵活的驱动方式，已成为现代电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

G3VM-S1TR广泛应用于多种需要安全隔离与高效开关控制的电子系统中。在工业自动化领域，常用于可编程逻辑控制器（PLC）的I/O模块中作为数字输出通道，用于驱动电磁阀、小型继电器、指示灯或报警装置。由于其无触点特性，特别适合频繁开关操作的生产线控制系统，避免了传统继电器易老化的问题。在测试与测量设备中，G3VM-S1TR被用作自动测试设备（ATE）中的信号路由开关，因其低导通电阻和高重复精度，可确保测量信号的完整性与准确性。在通信设备中，该器件可用于电源切换、线路冗余控制或热插拔管理电路，提供可靠的隔离保护。医疗电子设备也大量采用此类光继电器，例如病人监护仪、便携式诊断设备等，利用其高隔离电压和低电磁干扰特性，保障患者安全与信号纯净度。此外，在楼宇自动化系统中，G3VM-S1TR可用于智能照明控制、HVAC（暖通空调）系统的风扇或加热器驱动，实现远程集中控制与节能管理。消费类电子产品如高端音响系统、智能家居中枢设备中也有应用，用于音频通道切换或电源状态管理。由于其支持表面贴装工艺，非常适合现代小型化、轻量化设备的设计需求。新能源领域如太阳能逆变器或储能系统的监控模块中，也可使用该器件进行电池组的充放电控制或状态检测。总之，凡是在需要电气隔离、低功耗驱动、高可靠性和长寿命开关功能的场合，G3VM-S1TR都能发挥出色的作用。

G3VM-61VY(G)