类型：MOS FET继电器（无触点）
　　通道数：1通道
　　封装形式：SOP-6（表面贴装）
　　输入正向电流（IF）：20 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（VOFF）：60 V
　　输出连续通态电流（IO）：600 mA
　　导通电阻（RON）：典型值1.5 Ω，最大值2.5 Ω
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　回路电容：约15 pF
　　关断状态漏电流：≤1 μA
　　响应时间（Turn-ON / Turn-OFF）：≤1 ms / ≤0.5 ms
　　LED波长：约950 nm
　　绝缘材料：满足UL、CSA、VDE认证要求

G3VM-6F-S的核心特性之一是其基于光耦MOSFET结构的无触点开关机制。当输入侧LED接收到控制信号并发光时，光敏层吸收光能并产生电荷载流子，从而在MOSFET的栅极形成电场，使输出端的两个背对背连接的MOSFET导通。这种工作方式避免了传统机械继电器中存在的磨损、弹跳和电弧问题，显著提升了系统的可靠性与寿命。由于没有移动部件，该器件能够承受高强度的机械冲击和振动，非常适合用于工业自动化、汽车电子和便携式测试设备等严苛环境。
　　另一个关键特性是其低导通电阻（RON），典型值仅为1.5Ω，最大不超过2.5Ω。这一性能确保了在通过较大电流时功耗较低，减少了发热，提高了能量传输效率。对于模拟信号切换应用而言，低RON意味着更小的信号衰减和更高的保真度，因此G3VM-6F-S广泛应用于数据采集系统、音频信号路由和传感器接口电路中。
　　此外，G3VM-6F-S具备高达5000Vrms的电气隔离能力，有效防止高压干扰从负载侧传导至控制侧，保护敏感逻辑电路。其快速响应时间（开通≤1ms，关断≤0.5ms）使其适用于需要高速切换的应用场合。器件还具有极低的关断漏电流（≤1μA）和小回路电容（约15pF），进一步增强了其在精密模拟开关和高频信号处理中的适用性。
　　该器件支持交直流负载切换，输出端可承受最高60V的电压和600mA的持续电流，具备良好的通用性。同时，SOP-6封装便于自动化贴片生产，符合现代电子产品小型化、轻量化的发展趋势。

G3VM-6F-S广泛应用于需要高可靠性、长寿命和小型化的电子控制系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、I/O接口单元、远程终端单元（RTU）以及各种信号隔离与切换电路，实现对传感器、执行器或仪表信号的安全控制。由于其无触点特性和抗干扰能力强，特别适合在存在强电磁干扰或频繁开关操作的环境中使用。
　　在测试与测量设备中，如自动测试设备（ATE）、数据采集系统（DAQ）和多路复用器中，G3VM-6F-S用于精密模拟信号的切换。其低导通电阻和低漏电流保证了信号完整性，减少测量误差，提高系统精度。此外，在医疗电子设备中，如病人监护仪、诊断仪器等，该器件因其高隔离电压和安全性，可用于隔离患者连接部分与主控电路，符合安全标准要求。
　　通信设备中也常见其身影，例如在电话交换系统、网络路由器或基站模块中用于音频或控制信号的切换。消费类电子产品如智能家居控制器、安防系统和音视频切换器中，G3VM-6F-S凭借其小尺寸和低功耗优势，成为理想的选择。此外，在汽车电子系统中，可用于车身控制模块（BCM）、灯光控制或电池管理系统中的信号隔离与负载驱动。
　　由于其兼容3.3V和5V逻辑电平，可以直接由微控制器GPIO驱动，无需外加驱动三极管或缓冲器，简化了电路设计，降低了整体成本。因此，无论是嵌入式系统开发还是批量生产的工业产品，G3VM-6F-S都是一种高效、可靠的固态开关元件。

G3VM-6GR,SX
　　G3VM-6GR2,SX
　　TLP3543A
　　AQY201EH