类型：MOS FET继电器（单常开）
　　电路形式：单通道（1a接点）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出负载电压（VOFF）：60 V
　　连续通态电流（IO）：380 mA
　　导通电阻（RON）：典型值9 Ω，最大值12 Ω
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　绝缘电压（VIORM）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（开）：典型值0.3 ms
　　响应时间（关）：典型值0.2 ms
　　封装类型：LSSO4（超小型表面贴装）

G3VM-61J1的核心特性之一是其基于光电MOSFET技术的无触点开关机制，这种设计从根本上消除了传统机械继电器在频繁操作下可能出现的接触疲劳、氧化和电弧问题，从而显著提升了系统的长期可靠性。该器件的输入侧采用标准红外LED，可在较低的驱动电流（通常5~20mA即可完全导通）下工作，兼容TTL或CMOS逻辑电平，便于与微控制器、FPGA或其他数字电路直接接口，无需额外的驱动电路。输出端采用一对背对背连接的功率MOSFET结构，使其能够安全地切换交流或直流负载，并有效抑制反向电流和电压瞬变。
　　该器件的导通电阻低至9Ω（典型值），在380mA的额定电流下产生的功耗较小，有助于减少热量积累，提高系统能效。同时，其封装具有优良的热传导性能，能够将内部产生的热量有效传递至PCB，进一步增强热稳定性。G3VM-61J1具备出色的电气隔离能力，输入与输出之间可承受高达5000Vrms的绝缘电压，确保在高压环境或工业控制系统中提供可靠的隔离保护，防止噪声干扰和故障蔓延。
　　响应速度快是另一个关键优势，开通时间仅0.3ms，关断时间0.2ms，远快于传统电磁继电器的毫秒级甚至数十毫秒级响应，适用于需要快速切换的应用场景，如自动测试设备中的信号路由、高频电源控制或精密仪器中的时序控制。此外，该器件无机械运动部件，因此不受振动、冲击等物理环境影响，适合在恶劣工业环境中使用。LSSO4封装尺寸小巧，节省PCB空间，支持自动化贴片生产，有利于提升制造效率和产品集成度。

G3VM-61J1广泛应用于各类需要小型化、高可靠性和快速响应的电子控制系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、I/O控制板、传感器信号切换和小型执行器驱动电路中，实现对直流负载的安全隔离控制。在通信设备中，可用于程控交换系统、网络路由器和基站模块中的电源管理与信号通断控制。由于其低噪声和无电弧特性，也适用于医疗电子设备，如监护仪、诊断仪器和便携式医疗装置，确保患者安全和信号纯净。
　　在测试与测量仪器中，G3VM-61J1可用于自动测试系统（ATE）中的多路复用开关、校准电路切换和负载仿真单元，其快速响应和精确控制能力有助于提升测试精度和吞吐量。此外，在消费类电子产品和智能家居控制系统中，可用于电池管理、LED调光、小功率电机控制等场景。由于其表面贴装封装和无铅兼容性，非常适合现代电子产品的小型化和自动化生产需求，尤其适用于需要高密度布局的便携式设备和嵌入式系统。

G3VM-61G1
　　G3VM-41VY2
　　G3VM-62EY