G3VM-61H1 时间：2025/12/27 0:03:39 阅读：10

G3VM-61H1是一款由Omron（欧姆龙）公司生产的MOS FET继电器，属于其先进的光耦MOSFET产品线。该器件采用先进的光控技术，结合了输入侧的红外发光二极管（IR-LED）与输出侧的功率MOSFET结构，实现了无触点、高可靠性的信号和负载控制。与传统电磁继电器相比，G3VM-61H1具有更长的使用寿命、更快的响应速度、更低的功耗以及更强的抗振动和抗冲击能力。该器件为单极常开（SPST-NO）型固态继电器，适用于需要高密度安装和高稳定性的现代电子设备中。其封装形式为小型表面贴装型（SMD），具体为4引脚LSOP（Low-profile Small Outline Package），尺寸紧凑，适合在空间受限的应用场景中使用，例如便携式设备、工业自动化模块和通信系统等。此外，G3VM-61H1具备良好的电气隔离性能，输入与输出之间可承受高达5000 Vrms的隔离电压，确保系统在高压环境下的安全运行。由于其无机械触点的设计，避免了传统继电器在开关过程中产生的电弧、噪声和接触反弹问题，特别适合用于精密仪器和低电平信号切换场合。

参数

类型：MOS FET继电器（单极常开）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值8 Ω，最大12 Ω
　　连续负载电流（IO）：360 mA
　　峰值负载电流（Iop）：1.2 A
　　负载电压（VOFF）：60 V
　　接通时间（tON）：0.3 ms
　　关断时间（tOFF）：0.2 ms
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：4-Pin LSOP（表面贴装）

特性

G3VM-61H1的核心特性之一是其基于光控MOSFET的输出结构，利用输入侧的红外LED激发光电探测器，进而驱动一对互补MOSFET实现负载的导通与关断。这种设计使得器件能够在无机械磨损的情况下完成数亿次的开关操作，极大提升了系统的长期可靠性。其输出端采用无触点设计，彻底消除了传统继电器在动作时产生的电弧、火花和机械噪声，适用于对电磁干扰敏感或需要静音运行的设备。该器件的导通电阻低至8Ω，能够有效减少功率损耗，提高能效，尤其适合电池供电或低功耗系统。同时，由于MOSFET具有双向导通能力，G3VM-61H1可用于交流或直流负载的控制，应用灵活性高。
　　G3VM-61H1具备快速的开关响应能力，导通时间仅为0.3ms，关断时间为0.2ms，远快于传统电磁继电器的毫秒级甚至数十毫秒级响应，适合需要高速切换的应用，如自动测试设备、数据采集系统或多路复用电路。其输入驱动电流仅需50mA，兼容TTL和CMOS逻辑电平，可直接由微控制器或数字IC驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计并降低了成本。此外，器件采用LSOP封装，体积小、重量轻，支持自动化贴片生产，有助于提高PCB布局密度和制造效率。高隔离电压（5000Vrms）确保了输入控制电路与输出负载电路之间的电气安全，满足工业和医疗设备的安全标准。工作温度范围宽（-30°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定运行，增强了产品的环境适应性。

应用

G3VM-61H1广泛应用于多种需要高可靠性、小尺寸和低功耗开关控制的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块、传感器接口和过程控制系统中的信号切换与负载控制。由于其无触点特性和长寿命，特别适合频繁开关的场合，如自动装配线中的气动阀或电机控制。在测试与测量设备中，G3VM-61H1被用于多路复用器、自动测试仪（ATE）和数据采集系统，实现对微弱信号的精确切换，避免接触电阻变化带来的测量误差。在通信设备中，可用于音频/视频信号路由、电话交换系统或网络设备中的线路选择。此外，该器件也适用于医疗电子设备，如病人监护仪、便携式诊断设备等，因其高绝缘性和低漏电流可满足医疗安全规范。消费类电子产品中，G3VM-61H1可用于相机快门控制、电池管理系统中的充放电切换以及智能家居设备中的低功率负载控制。由于其表面贴装封装，非常适合高密度印刷电路板设计，广泛用于紧凑型模块化产品中。