您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXUC200N055

IXUC200N055 发布时间 时间:2025/8/6 12:58:55 查看 阅读:27

IXUC200N055是一款由IXYS公司设计的高功率双极晶体管(BJT),适用于各种高功率应用,例如电源管理、工业控制系统以及高频功率放大器。该晶体管具备高电流和高电压承受能力,能够稳定地在高功率环境下工作。

参数

类型:双极晶体管(BJT)
  集电极-发射极最大电压(Vce):55V
  最大集电极电流(Ic):200A
  最大功耗(Ptot):400W
  工作温度范围:-65°C至150°C
  封装形式:TO-264

特性

IXUC200N055具备多项高性能特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其集电极-发射极最大电压为55V,能够承受较高的电压波动,确保在工业环境中的稳定运行。其次,最大集电极电流达到200A,使得该晶体管能够处理大电流负载,适合高功率电源系统的需求。
  此外,该晶体管的最大功耗为400W,能够在高功率条件下保持良好的热稳定性。其工作温度范围从-65°C到150°C,表现出优异的温度适应性,适合各种严苛环境条件下的使用。TO-264封装形式则提供了良好的散热性能,同时便于安装和集成到现有的电路设计中。
  IXUC200N055的高可靠性设计使其能够在高频条件下稳定工作,因此非常适合用于功率放大器、电源转换器以及电动机控制等应用场景。其优良的电气特性和机械特性确保了长期运行的稳定性和耐用性。

应用

IXUC200N055广泛应用于高功率电子设备中,例如工业电源、不间断电源(UPS)、电力电子转换器以及高频功率放大器。它还适用于电机驱动和控制电路,以及需要高电流和高电压性能的汽车电子系统。此外,由于其良好的温度适应性和高可靠性,该晶体管也常用于航空航天和军事设备中的电源管理系统。

替代型号

IXUC200N055A, IXUS200N055, IXUS200N055A

IXUC200N055推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXUC200N055资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IXUC200N055参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5.1 毫欧 @ 100A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 2mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳ISOPLUS220?
  • 供应商设备封装ISOPLUS220?
  • 包装管件