类型：MOSFET输出型固态继电器
　　通道数：单通道
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（ID）：180 mA
　　接通电阻（RON）：典型值 7.5 Ω，最大值 11 Ω
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　回流焊温度（峰值）：260°C（每周期一次，持续10秒以内）
　　封装形式：Mini Flat SMD（4引脚）
　　安装方式：表面贴装（SMT）
　　响应时间（Turn-on / Turn-off）：典型值 0.5 ms / 0.5 ms
　　输入LED波长：约940 nm（红外）
　　最小绝缘电阻：1000 MΩ（500 VDC）
　　电容（输出-输入）：典型值 12 pF

G3VM-601EYTR的核心特性之一是其采用的光电MOSFET驱动结构，这种设计通过输入侧的红外LED激发光电二极管阵列，生成足够的栅极电压来驱动输出端的功率MOSFET，从而实现零功耗维持导通状态。该机制无需外部电源供电即可完成信号隔离与功率切换，极大地简化了系统设计复杂度。
　　另一个显著特点是其极低的导通电阻（RON），典型值仅为7.5Ω，最大不超过11Ω，这使得器件在导通状态下功耗极低，发热小，非常适合电池供电或对能效要求较高的便携式设备。同时，低RON也意味着更高的负载驱动能力和更小的电压降，有助于提升整体系统的效率。
　　该器件支持双向负载控制，即输出端可以承受正负极性电压，适用于交流信号开关或双极性直流电路应用。这一特性使其在模拟信号路由、音频通道切换、传感器激励等方面展现出独特优势。
　　G3VM-601EYTR具备出色的电气隔离性能，标称隔离电压高达5000 Vrms，确保了控制侧与负载侧之间的安全隔离，有效防止高压窜入低压控制回路，保障人身与设备安全。此外，其输入与输出之间寄生电容低至12pF左右，大幅降低了高频噪声耦合风险，提升了抗电磁干扰（EMI）能力。
　　由于采用全表面贴装微型封装，G3VM-601EYTR非常适合高密度PCB布局和自动化回流焊接工艺。其尺寸紧凑，有助于缩小终端产品体积，满足现代电子产品向轻薄化发展的趋势。器件还具有良好的热稳定性和长期可靠性，经过严格的老化测试和环境适应性验证，可在工业级温度范围内稳定运行。

G3VM-601EYTR因其小型化、高性能和高可靠性的特点，被广泛应用于多个高科技领域。在通信设备中，常用于电话线路切换、DSL信号路由、光纤网络模块中的光开关控制等场景，利用其低电平信号驱动能力与高隔离特性，实现安全高效的信号管理。
　　在工业自动化控制系统中，该器件可用于PLC输入/输出扩展模块、远程I/O单元、数据采集系统中的模拟量或多路复用开关，替代传统电磁继电器，避免机械磨损和电弧问题，延长设备使用寿命。
　　测试与测量仪器也是其重要应用方向，例如自动测试设备（ATE）、示波器、万用表、LCR测试仪等，利用其快速响应时间和精确的开关重复性，实现对微弱信号的精准控制与采样路径切换。
　　医疗电子设备中同样可见其身影，如病人监护仪、便携式诊断设备、呼吸机等，用于安全隔离患者连接部分与主控电路，符合医疗安全规范。此外，在消费类电子产品如高端音响系统、智能家居控制模块中，G3VM-601EYTR可用于音频通道选择、电源路径管理等功能，提供静音操作和高保真信号传输体验。

G3VM-601EY