IRGPC50M 时间：2025/10/27 10:50:24 阅读：8

IRGPC50M是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率功率转换系统中。该器件采用先进的沟槽式场截止技术（TrenchSTOP?），能够在高压应用中实现优异的导通和开关性能。IRGPC50M设计用于在600V的漏源电压下工作，具备较低的导通电阻和优化的栅极电荷特性，有助于降低功率损耗并提升整体系统效率。该MOSFET封装在TO-220或类似标准封装中，具有良好的热稳定性和机械可靠性，适合在工业、消费类电子和照明等多样化环境中使用。其内部结构集成了快速恢复体二极管，进一步增强了在感性负载切换过程中的可靠性和抗冲击能力。此外，该器件符合RoHS环保要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造流程。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：600V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：典型值75mΩ（最大值90mΩ）
　　连续漏极电流（ID）：13A
　　脉冲漏极电流（IDM）：52A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　阈值电压（Vth）：3.0V ~ 4.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值1300pF
　　输出电容（Coss）：典型值260pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值85ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值45nC
　　功耗（PD）：150W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220FP

特性

IRGPC50M采用了英飞凌先进的TrenchSTOP?沟槽栅技术和场截止（Field-Stop）结构，使其在600V高电压应用中兼具出色的导通性能与开关速度。该器件的关键优势在于其低导通电阻RDS(on)，典型值仅为75mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体能效。同时，其优化的栅极电荷（Qg）特性使得在高频开关应用中所需的驱动功率更少，从而简化了栅极驱动电路的设计并提升了系统的动态响应能力。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，得益于其高热导率的封装材料和内部芯片布局设计，能够有效将热量传导至散热器，避免局部过热导致的性能下降或失效。此外，器件内部集成的快速恢复体二极管具有较短的反向恢复时间（trr约85ns），减少了在感性负载关断过程中产生的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提升了系统在电机驱动或PFC电路中的运行可靠性。
　　IRGPC50M还具备较强的抗雪崩能力和鲁棒的栅氧化层设计，能够承受瞬态过压和电流冲击，适用于存在频繁启停或负载突变的应用场景。其±30V的宽栅源电压范围增强了对驱动信号噪声的容忍度，防止因栅极过压而造成器件损坏。此外，该器件通过了严格的质量认证，具备高可靠性和长寿命，适合在工业自动化、太阳能逆变器、LED驱动电源等领域长期稳定运行。

应用

IRGPC50M广泛应用于各类中高功率开关电源系统，包括AC-DC适配器、服务器电源和电信整流模块，在这些场合中作为主开关管或同步整流器件使用，以提高能效并减小体积。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于升压或降压拓扑结构，凭借其低导通损耗和快速开关特性，显著提升转换效率，尤其是在高频率工作条件下表现优异。此外，该器件也常见于功率因数校正（PFC）电路中，作为升压斩波开关，帮助实现接近1.0的功率因数，满足能源法规对能效的要求。
　　在电机驱动领域，IRGPC50M适用于小型交流或直流电机的控制电路，如家用电器中的风扇、洗衣机和空调压缩机驱动，其快速响应能力和耐受感性反电动势的特性确保了电机平稳启动和高效运行。在照明系统中，特别是大功率LED驱动电源中，该器件用于构建恒流源电路，提供稳定的输出电流并减少光闪烁现象。此外，它还可用于太阳能微型逆变器、UPS不间断电源以及工业控制设备中的功率切换模块，为系统提供高可靠性和紧凑设计的解决方案。