类型：MOSFET输出型固态继电器
　　输入正向电流（IF）：5 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值150 mΩ，最大值250 mΩ
　　输出连续通态电流（IO）：120 mA（AC/DC）
　　输出峰值电流（IOP）：360 mA
　　输出负载电压（VOFF）：6 V 最大
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-on Time）：典型值0.3 ms
　　响应时间（Turn-off Time）：典型值0.2 ms
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：SOIC-4 或类似表面贴装封装
　　引脚数：4
　　输入LED波长：约940 nm

G3VM-6的核心特性之一是其极低的导通电阻，典型值仅为150 mΩ，最大不超过250 mΩ，这一特性使其在信号传输过程中产生的压降和功耗极小，特别适用于对信号完整性要求较高的精密模拟电路中。例如，在数据采集系统或多路复用器中，低RON意味着更小的信号失真和更高的测量精度。此外，由于MOSFET输出结构的对称性，G3VM-6支持双向导通，可以用于交流信号或双极性直流信号的切换，扩展了其应用灵活性。
　　另一个显著特点是其高电气隔离能力，输入与输出之间可承受5000 Vrms的隔离电压，满足IEC 60950、UL、CSA等国际安全标准，适用于需要高绝缘等级的工业控制和医疗设备。这种高隔离性能有效防止了高压侧对低压控制电路的干扰或损坏，提升了系统的整体安全性。
　　G3VM-6采用光控MOSFET技术，无需机械触点，因此不存在接触弹跳、电弧、氧化等问题，具有极高的可靠性和长达数十万次的开关寿命。同时，其响应速度快，导通时间仅0.3 ms，关断时间0.2 ms，适合高频开关操作。器件功耗低，输入驱动电流仅需5 mA，可直接由微控制器GPIO口驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。
　　该器件还具备良好的温度稳定性，在-20°C至+85°C的工作温度范围内性能变化小，适合工业环境下的长期稳定运行。其表面贴装封装便于自动化生产和回流焊工艺，提高了生产效率和产品一致性。此外，G3VM-6符合RoHS指令，不含铅、镉等有害物质，适应现代环保法规要求。

G3VM-6广泛应用于需要小信号切换和高可靠性的电子系统中。在自动测试设备（ATE）和数据采集系统中，它常被用于多路模拟信号的切换，利用其低导通电阻和双向导通特性，确保测试信号的高保真传输。在工业自动化控制系统中，G3VM-6可用于PLC模块中的I/O信号隔离与切换，实现控制信号的安全传输。由于其高隔离电压特性，也常用于医疗电子设备中，如病人监护仪、诊断仪器等，以满足严格的电气安全标准。
　　在通信设备中，G3VM-6可用于音频信号或低频数据信号的路由切换，其低噪声和无触点特性避免了传统电磁继电器可能引入的电磁干扰。在电池供电的便携式设备中，因其低驱动电流和低功耗特性，有助于延长设备续航时间。此外，该器件也适用于安防系统、楼宇自动化、智能家居控制模块等需要静音、长寿命开关元件的场合。
　　由于其封装小巧，G3VM-6非常适合高密度PCB布局，常见于紧凑型嵌入式系统和模块化设计中。在需要电气隔离的传感器接口电路中，它可作为信号通路的隔离开关，防止地环路干扰或高压窜入敏感电路。总之，G3VM-6凭借其高性能、高可靠性和小尺寸，成为现代电子系统中替代传统电磁继电器的理想选择。

G3VM-61VY
　　G3VM-61VX
　　TLP222G
　　ADG419D