类型：MOS FET继电器（双常开）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值 0.22 Ω，最大值 0.35 Ω
　　输出耐压（VDS）：60 V
　　连续通态电流（ID(on)）：1 A
　　峰值通态电流（ID(peak)）：2 A
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　动作时间（ton）：典型值 0.2 ms
　　释放时间（toff）：典型值 0.2 ms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP-4

G3VM-41PR11的核心优势在于其超低的导通电阻和高效的信号传输能力。其输出端采用一对互补的MOSFET结构，能够在导通状态下提供极低的电压降，从而显著减少功率损耗并提高系统效率。该器件的典型导通电阻仅为0.22Ω，在1A电流下压降不超过0.22V，非常适合用于电池供电设备或对能耗敏感的应用中。同时，低导通电阻也意味着发热量小，有助于提升系统的热稳定性和长期运行的可靠性。
　　该继电器的输入侧采用高效率红外LED，仅需5mA至50mA的驱动电流即可实现完全导通，兼容TTL和CMOS逻辑电平，便于直接连接微控制器或数字逻辑电路，无需额外的驱动电路。这不仅简化了系统设计，还降低了整体成本和PCB空间占用。此外，器件具备极快的开关速度，动作时间和释放时间均为0.2ms，能够满足高速数据采集、自动测试设备（ATE）和高频信号切换的需求。
　　G3VM-41PR11具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间可承受5000Vrms的隔离电压，符合国际安全标准，适用于医疗设备、工业控制系统等对电气安全要求严格的场合。其无触点设计消除了机械磨损、接触弹跳和电弧放电等问题，使用寿命远超传统电磁继电器，可达数亿次操作。此外，该器件对振动和冲击不敏感，可在恶劣环境下稳定工作。
　　在环境适应性方面，G3VM-41PR11的工作温度范围为-30°C至+85°C，能够在高温或低温环境中保持性能稳定。其SOP-4封装体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，并支持自动化贴片生产，提升了制造效率。整体而言，G3VM-41PR11是一款集高性能、高可靠性与小型化于一体的先进光耦继电器，适用于多种现代电子系统中的信号切换需求。

G3VM-41PR11广泛应用于需要高可靠性、长寿命和快速响应的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O模块和传感器接口中，作为信号隔离与切换元件，实现对现场设备的安全控制。其高隔离电压和抗干扰能力使其适用于存在高压噪声的工业环境。
　　在测试与测量设备中，如自动测试仪（ATE）、数据采集系统和多路复用器，G3VM-41PR11凭借其低导通电阻和快速开关特性，能够精确地切换模拟或数字信号路径，保证测量精度和系统响应速度。其无触点设计避免了传统继电器在频繁切换时产生的接触劣化问题，提升了测试系统的稳定性和重复性。
　　在通信系统中，该器件可用于音频/视频信号切换、电话线路控制和网络设备中的状态检测电路。其低电平驱动能力和良好的信号完整性使其适用于低电压信号处理场景。此外，在医疗电子设备中，如病人监护仪和诊断仪器，G3VM-41PR11的高电气隔离性能保障了患者和操作人员的安全。
　　其他应用还包括电池管理系统（BMS）、安防系统、办公自动化设备和消费类电子产品。例如，在电池组中用于充放电回路的控制，或在智能仪表中作为远程控制开关使用。由于其封装小型化，也适合用于便携式设备和空间受限的设计中。

G3VM-41GR11