类型：MOSFET输出固态继电器
　　通道类型：单通道常开（NO）
　　输入正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：5mA（推荐工作条件）
　　输出漏源导通电阻（RON）：50mΩ（典型值），80mΩ（最大值）
　　输出连续通态电流（IO）：2A（最大值）
　　输出峰值电流（IOP）：4A（脉冲宽度≤1s）
　　输出耐压（VDS）：60V（最大值）
　　输入-输出绝缘电压：5000Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-ON）：1ms（最大值）
　　响应时间（Turn-OFF）：0.5ms（最大值）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：SOP-4（表面贴装）

G3VM-41LR6的核心特性之一是其采用的光控双MOSFET输出结构，使其能够在低电压、低功耗条件下高效地控制负载电路。当输入侧LED被施加适当的正向电流时，内部光电元件产生光信号，驱动输出端的MOSFET栅极，从而实现导通。由于使用了N沟道与P沟道MOSFET组合的背对背结构，该器件不仅能承受交流或直流负载电压，还能有效防止反向电流流动，提高系统的安全性与可靠性。
　　另一个显著特点是其极低的导通电阻（RON），典型值仅为50mΩ。这一参数意味着在通过大电流时产生的功耗和温升非常小，有助于提升整体能效并减少散热设计负担。例如，在承载2A电流时，其导通压降仅为约100mV，功率损耗约为0.2W，远低于传统机械继电器或某些其他类型的光耦继电器。因此，G3VM-41LR6特别适合用于电池供电设备或对热管理要求严格的高密度电路板中。
　　该器件还具备优异的电气隔离性能，输入与输出之间的绝缘电压高达5000Vrms，符合多种国际安全标准，如UL、CSA和IEC认证，适用于需要强电与弱电隔离的应用场景，如工业PLC模块、医疗设备电源切换或电力监控系统。同时，其SOP-4封装尺寸小巧（典型尺寸约4.4mm x 3.6mm x 2.1mm），便于在空间受限的设计中布局，并支持回流焊工艺，适应现代SMT生产线的需求。
　　响应速度快也是G3VM-41LR6的一大优势，开启时间不超过1ms，关断时间更短至0.5ms以内，相较于传统电磁继电器通常几毫秒甚至几十毫秒的动作时间，明显提升了系统的动态响应能力。这使得它非常适合用于需要频繁开关操作的精密仪器，如自动测试设备（ATE）中的信号路由切换、数据采集系统的通道选择等应用。此外，由于没有机械触点，不存在弹跳、磨损或氧化问题，使用寿命远远超过传统继电器，理论上可达数亿次操作。

G3VM-41LR6广泛应用于多个高科技和工业领域，尤其是在需要高可靠性、小体积和长寿命的场合。在自动测试设备（ATE）中，它常用于多路复用器或信号切换模块中，用来精确控制不同测试通道之间的连接状态，确保信号完整性与稳定性。由于其低RON和快速响应特性，能够满足高频、高速信号切换的需求，避免因接触电阻变化带来的测量误差。
　　在通信设备中，G3VM-41LR6可用于电源冗余切换、线路保护或天线切换电路中，提供稳定的直流负载控制能力。其SOP-4封装易于集成到高密度PCB布局中，尤其适合路由器、交换机或基站单元中的辅助电源管理模块。
　　医疗电子设备也大量采用此类固态继电器，例如病人监护仪、影像设备或诊断仪器中的隔离电源控制部分。G3VM-41LR6的高绝缘电压和无电磁干扰特性，有助于满足医疗设备对电气安全和EMC（电磁兼容性）的严格要求。
　　此外，在工业自动化控制系统中，如PLC输入/输出扩展模块、传感器信号调理电路或小型执行器驱动单元中，G3VM-41LR6可用于实现低压控制信号对较高功率负载的安全隔离控制。其宽温度范围和抗振动能力也使其能在恶劣工业环境中长期稳定运行。
　　其他潜在应用还包括电池管理系统（BMS）、智能电表、安防系统以及消费类高端电子产品中需要静音、长寿命开关功能的场景。

G3VM-41LR1
　　G3VM-61GLY
　　TLP3558
　　AQV252G