时间：2025/12/28 16:21:22
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C3M0120090D 是由 Wolfspeed（原 Cree Micro Devices）生产的一款 SiC（碳化硅）功率 MOSFET。这款器件基于碳化硅材料，具有优异的热性能和开关特性，适用于高效率、高频率和高温度的功率转换系统。C3M0120090D 的最大漏源电压（VDS）为 900V，导通电阻（RDS(on)）为 120mΩ，适合用于需要高效能和高可靠性的工业应用。
类型：SiC MOSFET
最大漏源电压(VDS)：900V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：80A
导通电阻(RDS(on))：120mΩ
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247
功率耗散(PD)：300W
C3M0120090D SiC MOSFET 的核心优势在于其使用了碳化硅半导体材料，这种材料相比于传统的硅基材料，具有更高的热导率、更高的击穿电场强度以及更低的本征载流子浓度。这些特性使得 C3M0120090D 在高温、高压和高频工作条件下表现出色，同时减少了开关损耗和导通损耗。此外，碳化硅材料允许器件在更高的温度下工作，从而提高了系统的热管理效率。
该器件的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。同时，其短路耐受能力和卓越的雪崩能量耐受能力增强了器件在极端条件下的可靠性与稳定性。C3M0120090D 的栅极设计优化了开关性能，减少了开关过程中的电压和电流过冲，从而降低了电磁干扰（EMI）。
C3M0120090D SiC MOSFET 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。例如，在电动汽车（EV）充电系统中，该器件可以用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器，以提高转换效率并减小系统尺寸。在可再生能源领域，如太阳能逆变器和风力发电变流器中，C3M0120090D 的高效开关性能和耐高温特性能够提升能源转换效率，并延长设备的使用寿命。
此外，该器件在工业电机驱动和电源系统中也有广泛应用，例如用于高频开关电源（SMPS）中的功率开关，以减少系统损耗和提高功率密度。其优异的热性能也使其成为高可靠性要求的军工和航空航天领域的理想选择。最后，在储能系统和不间断电源（UPS）中，C3M0120090D 可以提供高效的能量转换和稳定的系统运行。
C3M0065090D, C3M0075090J, SCT30N120AL
