类型：MOS FET输出光电耦合器
　　通道数：1通道
　　封装形式：TSON4（无引线薄型小外形封装）
　　输入正向电流（IF）：50 mA 最大
　　输入反向电压（VR）：6 V
　　输出耐压（VDS）：40 V 最大
　　连续通态电流（ID(on)）：340 mA
　　导通电阻（RON）：典型值 7 Ω，最大值 12 Ω
　　隔离电压：5000 VRMS（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-on Time）：典型值 0.8 ms
　　响应时间（Turn-off Time）：典型值 0.8 ms
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　LED波长兼容性：近红外区域，峰值约 940 nm

G3VM-401AY1的核心优势在于其基于光控MOSFET的输出结构，这种设计使得它能够在没有机械触点的情况下实现负载的接通与断开，从而避免了传统电磁继电器常见的接触老化、弹跳噪声和寿命限制问题。该器件的输入侧采用标准的红外发光二极管，只需较小的驱动电流（通常5~20mA即可完全导通），即可有效激励内部光敏层，进而控制输出MOSFET的栅极电荷积累，实现低功耗控制逻辑与高隔离度之间的完美平衡。其输出端由两个背对背连接的N沟道MOSFET构成，支持交流和直流负载的双向切换能力，同时能够承受高达40V的漏源电压，并可承载最高340mA的连续电流，满足多数中小功率信号切换需求。
　　该器件的导通电阻典型值仅为7Ω，最大不超过12Ω，这保证了在导通状态下具有较低的电压降和功率损耗，提高了系统的能效表现。相比同类产品，G3VM-401AY1在相同封装下实现了更优的RON性能，有助于减少发热并提升长期运行稳定性。此外，得益于TSON4超小型无引脚封装，该器件不仅占用PCB面积小，而且热阻较低，有利于热量快速传导至PCB地平面，增强散热能力。该封装还具备良好的高频特性和抗电磁干扰（EMI）性能，适用于高速数字控制系统中的精密信号路由。
　　在安全隔离方面，G3VM-401AY1提供高达5000 VRMS的输入-输出隔离电压，符合国际安全标准要求，适用于需要强电与弱电之间严格隔离的应用场景，如工业PLC模块、自动测试设备（ATE）、医疗监护仪器等。其响应时间典型值均为0.8ms，具备较快的开关速度，远高于传统电磁继电器的毫秒级甚至数十毫秒级响应，因此特别适合用于需要频繁切换或精确时序控制的系统中。整个器件的工作温度范围宽达-30°C至+85°C，可在恶劣环境条件下稳定运行，且无需额外冷却措施。由于其全固态结构，抗震性能优越，不会因振动导致误动作或失效，进一步增强了系统的可靠性。

G3VM-401AY1广泛应用于各类需要电气隔离与信号切换功能的电子系统中。在工业自动化领域，常被用于可编程逻辑控制器（PLC）的I/O模块中，作为数字量输入/输出通道的隔离驱动元件，实现传感器信号采集或执行器控制的电气隔离。由于其支持交流与直流负载切换，可用于气动阀、小型电机、指示灯等设备的控制回路中。在自动测试设备（ATE）和半导体检测系统中，该器件因其低导通电阻和高重复精度，被用作精密测试信号路径中的开关单元，确保测量结果的一致性和准确性。
　　在通信设备中，G3VM-401AY1可用于音频或数据信号的路由选择，特别是在需要隔离不同电位节点的接口电路中发挥关键作用。例如，在RS-485或多通道模拟前端中，利用其双向导通能力和高隔离度防止地环路干扰。医疗电子设备也大量采用此类固态继电器，如病人监测仪、便携式诊断设备等，因其无触点、无电磁噪声、高安全隔离的特性，符合医疗行业对电气安全和信号纯净度的严格要求。
　　此外，该器件还适用于电池管理系统（BMS）、智能家居控制模块、安防系统以及无人机中的电源切换与状态反馈电路。由于其表面贴装封装形式，非常适合自动化贴片生产工艺，便于大规模量产。对于空间受限但又需高可靠性的嵌入式系统而言，G3VM-401AY1是一个理想的选择。无论是替代小型电磁继电器还是构建模块化开关阵列，该器件都能提供出色的性能与长期稳定性。

G3VM-402A,G3VM-61A,G3VM-401AR,APV0115SH,PV1ZD121EN