类型：MOS FET继电器（单极常开）
　　输入正向电压（VF）：1.35V（典型值，IF=5mA）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：最大60mA
　　输出导通电阻（RON）：典型值90mΩ，最大140mΩ（IF=5mA，VDS=5V）
　　输出耐压（VOFF）：30V（最大值）
　　连续负载电流（IO）：1.2A（最大值）
　　峰值负载电流（IOP）：3.6A（10ms脉冲）
　　接通时间（tON）：0.3ms（典型值）
　　关断时间（tOFF）：0.2ms（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电压（Viso）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　封装形式：SS-MINI FLAT（表面贴装）
　　引脚数：4

G3VM-353B1的核心优势在于其基于光耦合MOSFET技术的无触点开关机制，这种设计从根本上避免了传统电磁继电器因机械磨损而导致的寿命限制问题。其内部结构由一个红外发光二极管与两个串联连接的功率MOSFET组成，当输入侧LED被激活时，产生的光信号触发光电探测器，进而驱动MOSFET栅极实现导通。两个MOSFET背对背连接的设计允许器件在交流或直流负载下均能可靠工作，并有效防止反向电流流动，提高安全性。该器件具有极低的导通电阻（典型值仅90mΩ），这意味着在大电流通过时功耗和温升都非常小，有助于提升系统的整体效率并减少散热需求。同时，低RON也确保了输出端电压降最小化，特别适用于对电压敏感的应用场景。
　　G3VM-353B1还具备出色的电气隔离性能，输入与输出之间的绝缘电压可达5000Vrms，符合国际安全标准，适用于需要高隔离等级的工业控制和医疗设备。其CMOS兼容输入特性使得该器件可直接由微控制器、FPGA或其他数字逻辑电路驱动，无需额外的限流电阻或缓冲器，极大简化了外围电路设计。此外，该器件响应速度快，开关时间均在毫秒级以下，适合用于高速数据采集系统或多路复用切换场合。由于采用全固态结构，G3VM-353B1不受磁场影响，也不会产生电磁干扰（EMI），有利于构建更稳定可靠的电子系统。其超小型表面贴装封装不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，提升了制造效率。综合来看，G3VM-353B1是一款高性能、高可靠性、易于集成的光继电器解决方案，适用于多种现代电子系统中的信号切换与负载控制任务。

G3VM-353B1凭借其小型化、高速响应和高可靠性等特点，广泛应用于多个高科技领域。在通信设备中，它常用于模拟信号路径切换、音频/视频路由选择以及RF信号链中的开关控制，其低导通电阻和高带宽特性能够保证信号完整性。在自动测试设备（ATE）和半导体测试系统中，该器件被大量用于构建多路复用器和矩阵开关，实现对多个待测器件的高效切换与检测，显著提升测试吞吐量。
　　在工业自动化领域，G3VM-353B1可用于PLC模块、传感器接口电路和远程I/O系统中的信号隔离与控制，特别是在需要频繁开关操作的环境中表现优异。由于其无触点特性和抗振动能力强，也被广泛用于交通控制系统、电梯控制板和轨道交通电子装置中。在医疗电子设备中，如病人监护仪、诊断成像系统等，该器件提供的高绝缘电压和低漏电流特性有助于满足严格的医疗安全标准。
　　此外，在便携式仪器、电池供电设备和智能家居控制系统中，G3VM-353B1因其低功耗和小尺寸而成为理想选择。例如，在数据采集系统中，它可以用来切换不同传感器输入通道；在电源管理系统中，可用于电池切换或负载分配控制。其稳定的电气性能和长期工作的可靠性，使其成为替代传统电磁继电器的理想升级方案，尤其适合追求小型化、长寿命和高精度控制的现代电子产品设计。

G3VM-351B1
　　G3VM-352B1
　　TLP222G
　　AP1S610JN