类型：MOS FET输出型固态继电器
　　通道数：1
　　封装形式：TSSOP-6
　　输入类型：红外LED
　　输入正向电流(IF)：50 mA
　　输入反向电压(VR)：5 V
　　输出耐压(VDS)：35 V
　　连续通态电流(IOC)：2 A
　　导通电阻(RON)：典型值60 mΩ，最大值85 mΩ
　　隔离电压：1500 Vrms
　　开启时间(tON)：典型值0.2 ms
　　关断时间(tOFF)：典型值0.2 ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　回流焊温度（峰值）：260°C

G3VM-352F(TR) 的核心特性之一是其采用MOS FET作为输出开关元件，这使得它在导通状态下表现出极低的导通电阻（RON），典型值仅为60 mΩ，最大不超过85 mΩ。这一特性意味着在传输小电流信号时几乎不会产生明显的电压降和功率损耗，特别适合用于模拟信号切换、音频信号路由或传感器信号采集等对信号完整性要求较高的应用。低RON还减少了发热，提升了长期工作的稳定性和可靠性。同时，由于MOS FET具备双向导电能力，该器件可以用于交流或直流负载的控制，灵活性远高于单向半导体开关。
　　另一个重要特性是其优异的电气隔离性能。G3VM-352F(TR) 提供高达1500 Vrms的隔离电压，确保输入控制电路与输出负载电路之间实现可靠的电绝缘，有效防止高压窜入低压控制侧造成损坏，保障系统安全。这种隔离能力使其适用于医疗设备、工业控制、电源管理等对安全性要求严格的领域。
　　该器件还具备快速的响应速度，开启和关断时间均为0.2毫秒左右，远快于传统电磁继电器（通常为几毫秒到几十毫秒）。这意味着它可以胜任高频开关任务，如PWM信号切换、自动测试设备中的多路复用控制等。此外，其全固态结构无机械磨损，理论寿命可达数十亿次操作，远超机械继电器的百万次级别。
　　封装方面，TSSOP-6的小型化设计极大节省了PCB空间，适应高密度布局需求。该封装也具备良好的热传导性能和焊接可靠性，支持回流焊工艺，适用于现代化SMT生产线。最后，其输入LED驱动电流为50mA，兼容标准逻辑电平，可直接连接MCU GPIO口，无需额外驱动芯片，降低了系统复杂度和成本。

G3VM-352F(TR) 广泛应用于需要小型化、高可靠性和快速响应的电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的信号切换、I/O扩展板上的固态输出通道，以及传感器接口的隔离与控制。由于其无触点特性，特别适合在易燃易爆环境中替代传统继电器，避免电火花引发危险，因此也常见于防爆设备和安全控制系统中。
　　在通信设备中，该器件可用于程控交换机、网络路由器或多路复用器中的信号路径选择，实现高速、低失真的数据通道切换。其低导通电阻和宽温工作范围也使其成为测试与测量仪器的理想选择，例如自动测试设备（ATE）、示波器探头补偿电路或多通道数据采集系统，能够在不同通道间精确切换而不会引入显著误差。
　　消费类电子产品中，G3VM-352F(TR) 可用于笔记本电脑、平板电脑或智能手机的电池管理单元（BMU）中，执行充电/放电路径的切换控制；也可用于音频设备中作为静音开关或输入源选择开关，保证音质纯净。此外，在医疗电子设备如监护仪、便携式诊断设备中，其高隔离电压和长寿命特性有助于提升设备的安全等级和维护周期。
　　新能源与电源管理系统也是其重要应用场景。例如，在太阳能逆变器或电池储能系统中，可用于辅助电源的启停控制或状态监测信号的隔离传输。总之，凡是需要以电子方式实现“开关”功能且对体积、寿命、速度有较高要求的场合，G3VM-352F(TR) 都是一个极具竞争力的选择。

G3VM-351F(TR)
　　G3VM-61E1(TR)
　　G3VM-62E1(TR)
　　TLP3543A(TP)
　　ACPL-M43T