类型：MOS FET继电器（单极单掷，常开型）
　　输入正向电压（VF）：1.25V（典型值）
　　输入反向电压（VR）：5V
　　输入电流（IF）：60mA（最大值）
　　输出漏极-源极电压（VDS）：60V（最大值）
　　输出连续通态电流（IO）：2A（最大值）
　　输出峰值通态电流（IOP）：6A（10ms脉冲）
　　导通电阻（RON）：65mΩ（最大值）
　　隔离电压（Viso）：5000Vrms（1分钟，AC）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：USOP4
　　安装类型：表面贴装（SMD）

G3VM-21LRTR的核心优势在于其基于光控MOS FET技术的固态开关机制，这使得它完全避免了传统电磁继电器中常见的机械磨损、触点弹跳和电弧问题。该器件的输入部分包含一个红外发光二极管，当有足够电流通过时，LED发出的光被内部的光敏元件接收，并由此激活输出端的功率MOS FET，从而实现负载电路的接通。整个过程为全固态操作，响应时间极快，通常在毫秒级别内完成开关动作，远高于传统继电器的响应速度。这种高速切换能力使其非常适合用于自动化测试设备、数据采集系统以及需要精确时序控制的应用场景。
　　另一个重要特性是其出色的电气隔离性能。G3VM-21LRTR能够在输入控制电路与输出负载电路之间提供高达5000Vrms的隔离电压，这意味着即使在输出端出现瞬时高压或浪涌的情况下，也能有效保护前端的低压控制电路（如MCU或PLC）不受损害。这一特性对于工业控制系统、医疗电子设备以及电力监控系统尤为重要，因为它显著提高了系统的安全等级和抗干扰能力。
　　此外，该器件具有非常低的导通电阻（最大65mΩ），这意味着在承载额定电流时产生的压降和功耗都非常小，不仅提升了能源效率，也减少了散热需求，允许在紧凑的空间内部署多个器件而不会引起过热问题。其表面贴装的USOP4封装形式进一步增强了PCB布局的灵活性，支持自动化贴片生产，有利于降低制造成本并提高生产效率。G3VM-21LRTR还具备良好的耐振动和抗冲击性能，适合在恶劣环境中长期稳定运行。总体而言，这款MOS FET继电器结合了高性能、高可靠性和小型化设计，是现代电子系统中理想的开关解决方案。

G3VM-21LRTR广泛应用于各种需要安全隔离和高效信号切换的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的数字量输出通道，用于控制接触器、电磁阀、指示灯和其他执行机构。由于其快速响应和长寿命特点，非常适合用于生产线上的高频次开关操作。在测试与测量设备中，例如自动测试仪（ATE）或多通道数据采集系统，G3VM-21LRTR可用于多路复用信号路径的选择与切换，确保信号完整性的同时实现精准控制。
　　在通信设备中，该器件可用于电源管理单元或接口电路中的负载切换，以实现远程上电/断电控制或故障隔离。其高隔离电压特性也使其适用于医疗电子设备，如病人监护仪或诊断仪器，在这些设备中必须严格隔离高低压电路以保障患者安全。此外，G3VM-21LRTR还可用于电池管理系统（BMS）、智能电表、安防系统以及智能家居控制模块中，作为继电器替代方案来提升系统整体的可靠性和使用寿命。得益于其小型化封装，它也被广泛应用于便携式电子设备和嵌入式系统中，满足对空间高度敏感的设计需求。

G3VM-21LR
　　G3VM-61GLR
　　TLP3545