类型：MOS FET继电器（双向开关型）
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输入正向电压（VF）：1.25 V（典型值）
　　输出导通电阻（RON）：8 Ω（最大值，典型测试条件下）
　　输出漏电流（IDOFF）：1 μA（最大值）
　　输出耐压（VISO）：5000 Vrms（输入-输出间）
　　工作温度范围：-30°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：1000 MΩ 最小（初始值）
　　回路电容：110 pF（典型值）
　　动作时间（ton）：1 ms（最大值）
　　释放时间（toff）：0.5 ms（最大值）
　　封装类型：SSOP-4 或等效小型表面贴装封装

G3VM-21HR的核心特性之一是其极低的导通电阻（RON），最大仅为8 Ω，这使得它在信号传输过程中能够显著降低电压降和功率损耗，特别适用于精密模拟信号切换或低电平数字信号控制场合。由于采用MOSFET作为输出开关元件，该器件在导通状态下表现出接近理想开关的线性特性，不会引入明显的非线性失真，因此非常适合用作音频信号、传感器信号或多路复用系统中的电子开关。其低RON还意味着可以在不额外增加散热措施的情况下驱动相对较大的负载电流，提高了系统的集成度和能效。
　　另一个关键特性是高达5000 Vrms的输入-输出隔离电压，提供了卓越的电气隔离性能，有效防止高压瞬变干扰从输出端传导至控制电路，保障操作人员和敏感电子设备的安全。这种高隔离能力使其非常适合应用于医疗设备、工业PLC模块以及需要满足严格安全认证（如IEC/UL/CSA）的产品设计中。同时，该器件具有优异的绝缘电阻和低回路电容，进一步增强了其在高频或高阻抗电路中的稳定性和抗干扰能力。
　　G3VM-21HR的动作时间和释放时间分别控制在1 ms和0.5 ms以内，响应速度快，远优于传统电磁继电器，可在高速数据采集系统或多通道切换系统中实现快速、精准的信号路由。此外，其无触点结构避免了机械磨损、弹跳和电弧问题，确保数十万次甚至上百万次的操作寿命，极大提升了系统长期运行的可靠性。器件内部集成的齐纳二极管为MOSFET栅极提供过压保护，增强了在感性负载或电压突变环境下的鲁棒性。整体而言，G3VM-21HR是一款集低导通电阻、高隔离、快速响应和高可靠性于一体的先进光耦继电器解决方案。

G3VM-21HR广泛应用于需要电气隔离与信号切换功能的各种电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）的I/O模块中，作为传感器信号或执行器控制信号的隔离开关，实现现场设备与控制单元之间的安全隔离。在测试与测量设备中，例如自动测试设备（ATE）、数据采集系统（DAQ）或多路复用器中，该器件可用于切换不同通道的模拟或数字信号，因其低导通电阻和高精度特性，有助于保持信号完整性，减少测量误差。
　　在医疗电子设备中，如病人监护仪、诊断仪器或治疗设备，G3VM-21HR的高隔离电压和可靠性使其成为关键的安全隔离组件，确保患者与设备之间不会发生危险的漏电流。此外，在通信系统中，它可以用于电话线路切换、音频信号路由或远程控制接口，提供稳定的信号通断控制。
　　楼宇自动化系统（如智能照明控制、HVAC系统）也大量采用此类固态继电器来替代传统机械继电器，以提高系统寿命和免维护性能。由于其表面贴装封装形式，G3VM-21HR特别适合用于空间受限的便携式设备或高密度PCB设计中。其他应用场景还包括电池管理系统（BMS）、安防系统、仪器仪表以及各种需要远程控制与电气隔离的嵌入式控制系统。

G3VM-61GR2,G3VM-41GR,G3VM-21LR