类型：MOS FET继电器（双通道）
　　输出类型：双常开（DPST）
　　输入正向电流（IF）：20 mA
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输出导通电阻（RON）：典型值8 Ω（每通道）
　　最大导通电阻：12 Ω（每通道）
　　漏源击穿电压（BVDSS）：60 V
　　连续负载电流（IO）：360 mA（每通道）
　　峰值负载电流（IOP）：720 mA
　　工作温度范围：-20°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电压（输入-输出间）：5000 Vrms
　　响应时间（ON）：典型值0.3 ms
　　响应时间（OFF）：典型值0.2 ms
　　封装类型：DIP4（4引脚双列直插）

G3VM-21DR的核心优势在于其基于光电MOSFET技术的固态开关机制，能够提供稳定且可靠的信号切换性能。器件内部采用高效率红外LED作为输入端，当施加适当的正向电流时，LED发出光线激活下方集成的硅光栅MOSFET结构，从而在输出端形成低阻抗通路。这种全固态设计消除了机械磨损问题，使得产品寿命远超传统电磁继电器，可达数十万次甚至百万次以上的开关操作而不会出现性能衰减。此外，由于没有物理触点，因此不会产生电弧、火花或接触反弹现象，在高频开关应用中表现尤为出色。
　　该器件具有极低的导通电阻（典型值仅为8Ω），确保在导通状态下功耗极小，减少了发热并提升了整体能效。同时，其输出端可承受最高60V的漏源电压，支持多种低压直流和交流负载的直接驱动，包括传感器、小型电磁阀、LED指示灯和逻辑电路等。得益于高达5000Vrms的输入-输出绝缘电压，G3VM-21DR能够在高压与低压电路之间建立安全可靠的隔离屏障，有效防止噪声串扰和电压冲击对控制端的影响。
　　响应速度快是另一个显著特点，开启时间仅需0.3ms左右，关闭时间更短至0.2ms，使其非常适合用于实时性要求高的数据采集系统或自动测试设备（ATE）。其DIP4封装形式兼容标准PCB插件工艺，无需额外散热片即可在常规环境下稳定运行。工作温度范围覆盖-20°C到+85°C，满足大多数工业环境下的使用需求。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品制造。

G3VM-21DR广泛应用于各类需要电气隔离与信号切换的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于PLC（可编程逻辑控制器）模块中的I/O扩展单元，实现对外部传感器或执行器的安全控制。由于其无触点特性，特别适合用于易燃易爆环境中替代传统继电器，避免因电火花引发安全事故。在测试与测量仪器中，例如自动测试设备（ATE）、数据记录仪或多通道扫描系统，G3VM-21DR可用于多路信号路由选择，保证信号完整性的同时实现高速切换。
　　通信设备中也常见其身影，如程控交换机、网络接口单元或基站控制系统，用于电源管理或信号路径配置。在医疗电子设备中，因其高绝缘性和低泄漏电流特性，可用于患者连接设备中的安全隔离电路，保障操作人员与患者的安全。消费类电子产品如智能家居控制板、安防报警系统中，也可利用其小型化和低功耗优势进行负载开关控制。
　　此外，G3VM-21DR还适用于电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器辅助电路、智能电表继电器输出模块以及汽车诊断工具中的信号隔离部分。由于其支持双通道独立控制，可在需要同步切换两个信号线路的应用中简化电路设计，减少元器件数量，提高系统集成度和可靠性。无论是用于直流电机启停、加热元件控制还是音频/视频信号切换，该器件都能提供稳定、安静且高效的开关解决方案。

G3VM-21DY
　　G3VM-41DY
　　TLP3545A
　　AQY212EH