类型：MOSFET输出光电耦合器
　　输入正向电流（IF）：50 mA
　　输入反向电压（VR）：6 V
　　输出耐压（VDS）：100 V
　　连续通态电流（IO）：120 mA
　　峰值通态电流（IOP）：360 mA
　　导通电阻（RON）：典型值8 Ω，最大值12 Ω
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms
　　响应时间（Turn-on Time）：典型值0.4 ms
　　响应时间（Turn-off Time）：典型值0.3 ms
　　工作温度范围：-30°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：S-VSON4（超小型表面贴装）
　　引脚数：4

G3VM-101HR2的核心优势在于其采用的MOSFET输出结构，这使得它在导通状态下表现出极低的导通电阻，典型值仅为8Ω，最大不超过12Ω，从而有效降低功率损耗并减少发热，特别适合用于对能效要求较高的精密控制系统。该器件无需外部偏置电路即可直接驱动，简化了外围设计，提升了系统的集成度。
　　其输入侧使用高效率的红外LED，在50mA的正向电流下即可实现稳定的光信号发射，确保输出端MOSFET可靠导通。同时，该LED具有较长的使用寿命和出色的温度适应性，即使在高温环境下也能维持稳定的光输出性能。输出端则由一对背靠背连接的MOSFET构成，支持交流和直流负载的开关控制，具备双向导通能力，扩展了应用灵活性。
　　该光电耦合器具备高达5000Vrms的电气隔离电压，能够有效防止高压窜入低压控制回路，保障操作人员和敏感电路的安全。这种高等级的隔离性能使其非常适合应用于医疗设备、工业PLC模块、测试仪器等对安全性要求严苛的领域。
　　封装方面，G3VM-101HR2采用S-VSON4超小型表面贴装封装，尺寸极为紧凑，显著节省印刷电路板空间，有利于实现电子产品的小型化和轻量化设计。该封装还具备良好的热传导性能和机械强度，适合自动化贴片生产流程，提高制造效率。
　　此外，器件具备快速的开关响应能力，导通时间典型值为0.4ms，关断时间为0.3ms，满足大多数中高速信号切换需求。在整个工作温度范围（-30°C至+100°C）内，关键参数如导通电阻和漏电流变化小，表现出优异的热稳定性。整体设计兼顾性能、可靠性与环保要求，是替代传统机械继电器或普通光耦的理想选择。

G3VM-101HR2广泛应用于需要电气隔离与信号传输的各类电子系统中。在工业自动化领域，常用于PLC输入/输出模块、传感器接口电路以及远程I/O系统中，作为现场设备与控制器之间的隔离元件，有效抑制地环路干扰和瞬态电压冲击。
　　在测试与测量设备中，该器件可用于数据采集系统的通道隔离、继电器矩阵或自动测试设备（ATE）中的信号路由控制，因其低导通电阻和高重复性，有助于提升测量精度和系统稳定性。
　　在通信设备中，G3VM-101HR2可用于隔离不同电位的信号线路，防止噪声传播，增强系统抗干扰能力，常见于接口转换器、光模块控制电路和电源管理单元中。
　　此外，该器件也适用于医疗电子设备，如病人监护仪、诊断设备等，其中高隔离电压和长期可靠性至关重要，可确保患者安全并满足严格的医疗认证要求。
　　在家用及商用电子产品中，可用于智能电表、安防系统、楼宇自控系统中的信号切换与状态检测。由于其无触点、无噪音、无火花特性，也适合应用于防爆环境或对EMI敏感的场合。随着电子产品向小型化、低功耗方向发展，G3VM-101HR2凭借其优越的综合性能，在越来越多的新兴应用中取代传统电磁继电器和普通光耦器件。

G3VM-101H,G3VM-102H,G3VM-103H