G38N30 时间：2025/8/25 0:26:47 阅读：17

G38N30 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率、高功率处理能力的电子电路中。该器件具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动、开关电源（SMPS）、逆变器以及各种功率放大电路等应用场景。G38N30 通常采用 TO-220 或 TO-263（D2PAK）等封装形式，具备良好的散热性能和稳定的工作特性。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：300V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：38A（@25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.055Ω @ Vgs = 10V
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220 / TO-263

特性

G38N30 具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性，能够在高功率工作条件下保持可靠运行。此外，G38N30 的栅极驱动电压范围宽，可在 10V 至 20V 之间工作，便于与各种驱动电路兼容。其封装设计具备良好的散热能力，有助于延长器件寿命并提升整体系统稳定性。
　　G38N30 还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）、逆变器和马达控制电路。由于其具备较强的过载和短路承受能力，也常用于工业控制、电力电子设备和电源模块等对可靠性和性能要求较高的场合。此外，G38N30 的制造工艺成熟，良率高，成本相对较低，是一款性价比较高的功率 MOSFET 器件。

应用

G38N30 广泛应用于多种功率电子设备中，主要包括：开关电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器；电机驱动和马达控制电路；逆变器系统，如 UPS 和太阳能逆变器；电源管理模块，包括电池充电和放电控制系统；工业自动化设备中的功率开关电路；LED 照明驱动电源；以及各种高功率负载的开关控制应用。其优异的性能和稳定的封装形式，使其成为工业、消费类电子和汽车电子等多个领域的常用功率器件。