G3601D 时间：2025/8/6 23:51:56 阅读：11

G3601D 是一款由Giantec Semiconductor（巨积股份有限公司）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率控制领域。该器件采用先进的工艺制造，具有优良的导通特性和快速的开关性能，适用于各类电源转换器、DC-DC转换模块、电池管理系统以及电机驱动电路等场景。作为一款N沟道增强型MOSFET，G3601D在低导通电阻、高耐压和高电流承载能力方面表现出色，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：60A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为7.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　功率耗散(Pd)：100W

特性

G3601D具备多项优异的电气特性和结构设计优势。其导通电阻非常低，仅为7.5mΩ，在高电流应用中可以显著减少传导损耗，提升系统效率。该器件采用了先进的沟槽式工艺，增强了电流承载能力和热稳定性，适用于高功率密度的设计需求。此外，G3601D的栅极氧化层设计可承受高达±20V的栅源电压，具有较强的抗过压能力和稳定性，降低了因栅极电压波动而引起的失效风险。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能和机械强度，适合在高温环境下运行。其工作温度范围从-55℃到150℃，适用于各种工业级和汽车级应用场合。G3601D在开关特性方面也表现出色，具备快速的上升和下降时间，减少了开关损耗，提高了整体系统响应速度。此外，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定运行，提升了系统的可靠性和耐用性。
　　在制造工艺上，G3601D采用了绿色环保的封装材料，符合RoHS和REACH环保标准，适用于各类环保要求较高的电子产品设计。

应用

G3601D由于其优异的导通特性和高电流承载能力，广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理方面，该器件常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统中，能够有效提高转换效率并降低发热量。此外，G3601D也适用于电机驱动电路，如电动工具、电动车控制器和工业伺服系统中，其低导通电阻和高耐压特性有助于提高驱动性能和稳定性。
　　在汽车电子领域，G3601D可用于车载充电器、启动电机控制、LED照明驱动以及车载逆变器等应用，满足汽车电子对高可靠性和宽温度范围的要求。此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备中的电源模块、功率开关以及各类智能控制系统，提供高效、稳定的功率控制解决方案。