FDH44N50F是一款由富昌电子(Fairchild Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件设计用于高电压、高频率开关应用,具备良好的导通性能和快速的开关特性,适用于电源转换、DC-DC转换器、马达控制以及各种需要高效能功率开关的场合。FDH44N50F采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适合在工业环境和消费类电子产品中使用。
类型:N沟道
最大漏极电流(ID):44A
最大漏源电压(VDS):500V
导通电阻(RDS(on)):0.165Ω @ VGS=10V
栅极电压(VGS):±20V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
FDH44N50F具有多个关键性能特点。首先,其高耐压能力(500V)使其适用于多种高压电源转换应用,包括开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路和LED驱动器。其次,该器件的低导通电阻(0.165Ω)可有效降低导通损耗,提高系统效率。此外,FDH44N50F具备快速的开关特性,能够支持高频操作,从而减少外部滤波元件的体积和重量,提高系统的整体功率密度。其TO-220封装结构具有良好的散热能力,可在高温环境下稳定工作,并具备一定的过载和短路承受能力。此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围宽,支持10V至20V的栅极驱动电压,适应不同驱动电路的需求,确保导通性能的稳定性和可靠性。
FDH44N50F广泛应用于各类电力电子设备中。其主要应用包括:开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC转换器、功率因数校正(PFC)模块、LED照明驱动器、马达控制电路、逆变器、不间断电源(UPS)以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性,FDH44N50F也常用于消费类电子产品和工业控制系统的电源管理部分。
K44N50F, FDPF44N50