时间：2025/8/24 23:46:01
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FDH44N50F是一款由富昌电子（Fairchild Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件设计用于高电压、高频率开关应用，具备良好的导通性能和快速的开关特性，适用于电源转换、DC-DC转换器、马达控制以及各种需要高效能功率开关的场合。FDH44N50F采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合在工业环境和消费类电子产品中使用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：44A
最大漏源电压（VDS）：500V
导通电阻（RDS(on)）：0.165Ω @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
FDH44N50F具有多个关键性能特点。首先，其高耐压能力（500V）使其适用于多种高压电源转换应用，包括开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路和LED驱动器。其次，该器件的低导通电阻（0.165Ω）可有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，FDH44N50F具备快速的开关特性，能够支持高频操作，从而减少外部滤波元件的体积和重量，提高系统的整体功率密度。其TO-220封装结构具有良好的散热能力，可在高温环境下稳定工作，并具备一定的过载和短路承受能力。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽，支持10V至20V的栅极驱动电压，适应不同驱动电路的需求，确保导通性能的稳定性和可靠性。
FDH44N50F广泛应用于各类电力电子设备中。其主要应用包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC转换器、功率因数校正（PFC）模块、LED照明驱动器、马达控制电路、逆变器、不间断电源（UPS）以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，FDH44N50F也常用于消费类电子产品和工业控制系统的电源管理部分。
K44N50F, FDPF44N50
