G30120CTW 时间：2025/9/6 14:08:26 阅读：11

G30120CTW 是一款由 Global Mixed-mode Technology Inc. 生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效能电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻和快速开关性能，适用于如电源供应器、DC-DC转换器、马达驱动器等需要高效率和高可靠性的电路设计。G30120CTW 采用 TO-220 封装，具有良好的热稳定性和电流承载能力，适合工业级和消费类电子产品的应用需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：120V
　　最大漏极电流(Id)：30A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：40mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　栅极电荷(Qg)：60nC
　　最大工作温度：150℃
　　封装类型：TO-220

特性

G30120CTW MOSFET采用先进的沟槽式技术，提供极低的导通电阻，从而减少导通损耗，提高系统效率。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，降低了功率损耗和热产生，从而提高了整体系统的稳定性和寿命。
　　该器件具有高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在较高温度下工作而不影响性能，适合长时间运行的工业设备和高要求的电源管理系统。此外，G30120CTW具备快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、马达驱动器和同步整流器。
　　这款MOSFET的TO-220封装设计提供了良好的散热性能，有助于在高功率应用中维持较低的工作温度。同时，其坚固的结构设计和高质量的制造工艺确保了器件在恶劣环境下的可靠性和耐用性，适用于多种工业和消费类电子设备。

应用

G30120CTW广泛应用于各类电源管理系统和功率控制电路中，包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、马达驱动器、LED照明驱动器、电池充电器以及各种工业自动化和控制系统。其高效能和高可靠性的特点使其成为设计高效率、小型化电源模块的理想选择，同时也适用于消费类电子产品中对电源管理要求较高的应用场景。