时间：2025/6/27 6:26:34
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CST0630H-100M 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效和高功率应用而设计。该器件采用了先进的封装技术，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻，适合用于电信、工业电源以及射频放大器等领域。
该型号属于Cree公司（现为Wolfspeed）旗下的WBG（Wide Bandgap）产品系列，具有出色的热性能和可靠性，可显著提升系统的整体效率和功率密度。
类型：增强型场效应晶体管 (E-Mode HEMT)
最大漏源电压：650V
最大连续漏极电流：100A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：70nC
开关频率：高达2MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247-4L
CST0630H-100M 拥有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适用于高频应用场景。
3. 强大的散热性能，确保在高功率条件下稳定运行。
4. 内置ESD保护功能，增强了器件的可靠性和耐用性。
5. 良好的抗电磁干扰能力，能够在复杂的电磁环境下保持正常工作。
6. 采用GaN材料，具备更宽的禁带宽度，从而实现更高的击穿电压和更低的功耗。
7. 可直接替代传统硅基MOSFET，简化设计流程并减少开发时间。
CST0630H-100M 广泛应用于以下领域：
1. 数据中心和通信设备中的高效DC-DC转换器。
2. 太阳能逆变器和储能系统。
3. 工业电机驱动和不间断电源（UPS）。
4. 高效射频功率放大器。
5. 快速充电器和其他消费类电子产品中的电源管理模块。
6. 电动汽车车载充电器和牵引逆变器。
其高性能特点使其成为各类需要高效率和高功率密度场合的理想选择。
CSD0630H-100M, CST0650H-100M
