FA1S020H5E3000 是一款由 Fuji Electric(富士电机)制造的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,属于功率半导体器件的一种。该模块结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点,广泛应用于高功率、高频率的电力电子变换系统中,如逆变器、电机驱动器、UPS 系统以及工业自动化设备。
类型:IGBT 模块
拓扑结构:单管
额定集电极电流(Ic):20A
额定集电极-发射极电压(Vce):1200V
导通压降(Vce_sat):典型值为 2.1V(在 Ic=20A)
最大工作温度:150℃
封装形式:H5
安装方式:PCB 表面贴装或螺钉固定
短路耐受能力:具备
热阻(Rth):根据散热条件不同而变化
工作温度范围:-40℃ 至 +150℃
FA1S020H5E3000 模块具有优异的电气和热性能,适用于高要求的工业应用环境。该模块采用了先进的沟槽栅场截止(Trench Field Stop)技术,有效降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体效率。
此外,该模块具备良好的短路耐受能力,能够在极端条件下维持稳定工作,提升了系统的可靠性。其 H5 封装形式具有良好的散热性能和机械强度,适用于高功率密度的设计要求。
在开关特性方面,FA1S020H5E3000 的开关速度较快,能够满足高频应用的需求,同时具备较低的电磁干扰(EMI),有利于系统整体的稳定性与兼容性。
FA1S020H5E3000 常用于工业变频器、伺服驱动器、电动汽车充电设备、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机以及各种中高功率的电机控制设备中。由于其高可靠性和优异的性能,特别适合需要高效率、高稳定性和高功率密度的场合。
FA1S020H5E3000 的替代型号包括:FGA25N120ANTD、SGW40N60WD、IKW20N120CS6、FS50R12W1T4_B11、SKM20GB120D