型号：G2E184PMUS5VDC
　　类型：肖特基势垒二极管
　　封装/包装：SOD-123FL
　　是否无铅：是
　　是否符合RoHS：是
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：1.8A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：40A
　　最大正向电压（VF）：0.52V @ 1.8A, 0.55V @ 2A
　　最大反向电流（IR）：0.1mA @ 40V, Ta=25℃
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　热阻抗（Rth(j-a)）：典型值约250K/W
　　安装类型：表面贴装

G2E184PMUS5VDC的核心优势在于其低正向导通压降（VF），这直接提升了电源系统的整体效率。在典型工作条件下，当正向电流达到1.8A时，其正向电压仅为0.52V左右，显著低于传统PN结二极管，从而大幅减少了导通期间的能量损耗。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场景，如移动电源、笔记本电脑适配器和LED驱动电源等。低VF不仅意味着更高的效率，还能减少热量积聚，进而降低对额外散热措施的需求，有利于实现更轻薄化的设计。
　　该器件具备优异的开关性能，由于肖特基势垒结构本身不依赖少数载流子存储效应进行导通与关断，因此具有极短的反向恢复时间（trr），通常在纳秒级别，几乎可以忽略不计。这种快速响应能力使其能够在高频PWM控制的DC-DC变换器中稳定运行，避免因反向恢复电荷引起的额外功耗和电磁干扰问题。同时，快速的动态响应也有助于改善环路稳定性，提升电源的瞬态响应能力。
　　从可靠性角度看，G2E184PMUS5VDC的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛环境温度下正常工作，适用于工业级和汽车电子外围电路。其峰值浪涌电流可达40A，表明其具备较强的抗冲击能力，可应对启动瞬间的大电流冲击或负载突变情况。此外，器件的反向漏电流被严格控制，在常温下仅为0.1mA@40V，确保在关断状态下功耗极低，延长待机时间。
　　SOD-123FL封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm），而且引脚设计便于自动贴片机识别与焊接，支持回流焊工艺，适应现代高速SMT生产线。整体结构经过机械强化处理，具备一定的抗振动和抗冲击能力，增强了产品在运输和使用过程中的耐用性。综合来看，G2E184PMUS5VDC是一款高性能、高可靠性的功率整流器件，兼顾效率、尺寸与工艺兼容性，是中低功率电源设计中的理想选择。

G2E184PMUS5VDC广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子系统中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）、同步整流辅助二极管、DC-DC升压/降压转换器中的续流二极管、反激式电源次级侧整流、电池充电管理电路以及AC-DC适配器等。由于其低正向压降和快速恢复特性，特别适合用于便携式消费电子产品，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备的电源模块中，帮助延长电池续航时间。
　　在通信领域，该器件可用于基站电源模块、光模块内部供电单元及网络路由器的板级电源设计，提供高效的能量转换路径。在工业控制方面，G2E184PMUS5VDC可用于PLC控制器、传感器供电电路和小型电机驱动器中的稳压与保护环节。此外，它还可作为防反接保护二极管或OR-ing二极管使用，在多电源输入系统中防止电流倒灌，保障系统安全。
　　在汽车电子中，虽然该器件未标称AEC-Q101认证，但仍可用于非关键性的车载附属设备，如车载导航仪、行车记录仪、USB充电口电源管理等低压直流系统中。其小型封装也利于空间受限的车载布局设计。另外，在LED照明驱动电源中，G2E184PMUS5VDC可用于隔离型反激拓扑的输出整流，提升灯具整体光效并降低发热。总体而言，该器件凭借其优良的电气性能和紧凑封装，适用于多种中低功率、高频率、高效率要求的应用场景。

SS140HE3_A/H
　　SB140VL-G
　　MBR140VLSFT1G
　　BAT54CWS
　　PMGS244EPN