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G18P03S 发布时间 时间:2025/4/28 13:49:10 查看 阅读:3

G18P03S是一款光电耦合器(光耦),它通过光信号传输电信号,具有高隔离电压和良好的抗干扰能力。该器件通常应用于需要电气隔离的场景中,例如工业控制、通信设备以及家用电器等领域。
  这款光耦内部由发光二极管(LED)和光敏晶体管组成,输入端电流驱动LED发光,输出端的光敏晶体管接收光线并转换为电信号,从而实现电-光-电的信号转换。

参数

工作温度范围:-40℃ 至 +110℃
  隔离电压:5000Vrms
  正向电流(IF):16mA
  集电极-发射极击穿电压(VCEO):70V
  光敏晶体管最大集电极电流(IC):50mA
  上升时间(tR):2μs
  下降时间(tF):2μs

特性

G18P03S具有以下特点:
  1. 高度可靠的电气隔离性能,能够有效防止输入与输出之间的干扰。
  2. 快速的开关速度,确保在高频应用中的稳定性。
  3. 宽工作温度范围,适用于恶劣环境条件下的应用。
  4. 较低的功耗设计,提升了整体系统的效率。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  6. 小型封装设计,节省PCB空间,便于系统集成。

应用

G18P03S广泛用于以下领域:
  1. 工业自动化控制中的信号隔离。
  2. 电源管理模块中的反馈电路。
  3. 医疗设备中的安全隔离。
  4. 消费类电子产品中的噪声抑制。
  5. 数字通信接口中的数据传输保护。
  6. 继电器驱动及电机控制中的信号传递。

替代型号

HCPL056A, TLP281-4, PS2501L

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G18P03S参数

  • 现有数量3,980现货
  • 价格1 : ¥5.84000剪切带(CT)4,000 : ¥2.25418卷带(TR)
  • 系列G
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)15A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)10 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)58 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3570 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOP
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)