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G16P03S 发布时间 时间:2025/5/19 9:23:57 查看 阅读:7

G16P03S是一种基于硅材料的功率肖特基二极管,广泛应用于高频整流、开关电源、逆变器以及其他需要高效整流的场景中。
  该器件具有低正向压降和快速恢复时间的特点,能够显著降低功耗并提升系统效率。此外,其封装形式通常为表面贴装类型(如DO-214AC),适合自动化生产和紧凑型设计需求。

参数

最大重复峰值反向电压:60V
  正向电流(IF):3A
  典型正向电压(VF,在IF=3A时):0.55V
  结电容(Cj,在VR=0V,f=1MHz时):30pF
  热阻(Rth,J-A):40℃/W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 低正向压降:G16P03S采用先进的肖特基势垒技术,使其在大电流下依然保持较低的正向电压降,从而减少发热并提高效率。
  2. 快速开关速度:由于其内部结构特点,该二极管具备非常短的反向恢复时间,非常适合高频应用环境。
  3. 高可靠性:经过优化设计后,这款产品能够在恶劣条件下长时间稳定运行,并且对浪涌电流也有较强耐受能力。
  4. 小尺寸封装:使用表面贴装技术(SMD),有助于节省PCB空间并简化制造流程。

应用

1. 开关电源中的同步整流电路
  2. DC-DC转换器中的续流二极管
  3. 太阳能光伏系统中的旁路保护
  4. 电机驱动及逆变器模块
  5. 各种便携式电子设备充电管理电路

替代型号

MBRG3060T3G, SR360

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G16P03S产品

G16P03S参数

  • 现有数量7,740现货
  • 价格1 : ¥4.85000剪切带(CT)4,000 : ¥1.87608卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)16A
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)12 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2800 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOP
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)