G13N60 时间：2025/12/29 14:32:11 阅读：14

G13N60是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有高耐压、低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场合。G13N60采用TO-220或TO-252等封装形式，具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：13A（25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.45Ω（典型值）
　　功耗（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、TO-252等

特性

G13N60具有多项优良的电气和热性能。首先，其600V的漏源电压额定值使其适用于中高功率应用，如开关电源和逆变器设计。其次，导通电阻RDS(on)的典型值为0.45Ω，较低的导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的额定漏极电流（13A），在正常工作条件下可承受较大的负载电流。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，采用高导热封装材料，能够有效散发热量，延长器件寿命。在开关特性方面，G13N60具有较快的开关速度，适合高频操作，从而减小外围元件的尺寸并提高整体系统效率。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，便于设计和应用。
　　另外，G13N60具有较强的抗过载能力和短路保护能力，能够在恶劣工况下保持稳定运行。其栅极氧化层设计优化，提升了抗静电能力和可靠性。整体而言，G13N60是一款性价比高、性能稳定的功率MOSFET，适用于多种电源管理和功率控制场景。