类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.075Ω
　　工作温度范围：-55℃至+150℃
　　封装形式：TO-3P或类似大功率封装

G100N60 MOSFET具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，其最大漏源电压为600V，能够承受较高的电压应力，适用于多种高压电路设计。其次，最大连续漏极电流可达100A，支持高电流负载的应用需求。该器件的导通电阻较低，典型值为0.075Ω，有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，G100N60采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的热稳定性和可靠性。其TO-3P封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和集成到各种电路板中。最后，该MOSFET的栅极驱动电压范围宽广，通常在10V至20V之间，能够确保快速且可靠的开关操作。
　　G100N60的这些特性使其成为电源转换器、电机驱动器、UPS系统以及各种高功率开关应用的理想选择。其高耐压能力和大电流承载能力使其能够在恶劣的工作环境下稳定运行。此外，低导通电阻的设计也有效降低了功率损耗，提高了系统的整体效率。对于需要长时间连续工作的应用，G100N60的热稳定性表现优异，能够有效防止因温度升高而导致的性能下降。

G100N60 MOSFET主要用于高功率开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、逆变器、电机控制器和不间断电源(UPS)系统。此外，它也可用于工业自动化设备、电动汽车充电系统以及太阳能逆变器等需要高效功率管理的场合。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在这些应用中表现出色。

IRF150、IRFP460、IXFH100N60P