FZXZ004A 是一种常见的电子元器件型号,通常用于电源管理、电压调节或功率控制应用中。该器件属于功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的一种,适用于高效率、高频率的开关电路设计。FZXZ004A 具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,使其成为许多工业控制、电源转换、DC-DC变换器、电机驱动等系统中的理想选择。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):75A(在Tc=25℃)
导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值)
功率耗散(Pd):120W
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
封装形式:TO-220、TO-263(D2PAK)等
FZXZ004A 的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,确保在高频率开关应用中仍能保持稳定的性能。此外,FZXZ004A 具有良好的热管理能力,能够在高温环境下可靠工作,适用于对热性能要求较高的应用场景。
该MOSFET还具有快速开关速度,适用于高频PWM(脉宽调制)控制电路。其高电流承载能力和低导通压降使其在高功率应用中表现出色。FZXZ004A 的栅极驱动要求较低,通常可由标准逻辑电平直接驱动,简化了外围电路设计。
此外,该器件具备较高的耐用性和抗过载能力,适用于如电动车控制器、工业电源、负载开关、电池管理系统等复杂环境。
FZXZ004A 主要应用于电源管理领域,包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动、逆变器以及电池管理系统等。在工业自动化设备、通信电源、服务器电源、UPS(不间断电源)系统中也有广泛使用。由于其高效率和良好的热性能,FZXZ004A 也常用于高功率LED驱动、电动车控制器以及储能系统中。
IRF1404、FDS4410、Si4410DY、FZXZ004AS、FDS6680