时间：2025/6/20 14:14:43
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SI3441DV是一款来自Vishay Siliconix的N沟道增强型MOSFET，采用微型TSSOP封装。该器件主要应用于需要高效率和低功耗的开关应用中，例如负载切换、电机控制以及DC-DC转换器等。其优异的导通电阻性能和快速的开关速度使其在众多功率管理场景中表现突出。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：75mΩ（典型值，Vgs=10V）
总栅极电荷：15nC
输入电容：240pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
SI3441DV具有极低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提升了系统效率。此外，它还具备快速开关能力，能够降低开关损耗，适用于高频应用。
由于采用了先进的制程技术，该MOSFET拥有卓越的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作环境下长时间运行。
其小型化的TSSOP封装不仅节省了PCB空间，还便于散热设计。
该器件广泛应用于消费电子、工业自动化及通信设备领域。
典型的应用包括：
1. 手机和平板电脑中的负载切换
2. 电池供电设备的电源管理
3. 小功率电机驱动电路
4. 各类降压或升压DC-DC转换器
SI3442DS, IRF7442
