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FZT956TA 发布时间 时间:2025/6/5 20:07:54 查看 阅读:6

FZT956TA是一种NPN型高频开关晶体管,广泛应用于高频放大、开关电路和脉宽调制等场景。该晶体管采用TO-126封装形式,具备出色的高频性能和较低的饱和电压,非常适合在高频信号处理和电源管理应用中使用。
  这种晶体管的主要特点是其高增益和低噪声特性,使其成为无线通信、音频设备以及其他高频电子设备的理想选择。

参数

集电极-发射极击穿电压:80V
  集电极最大电流:1A
  直流电流增益(hFE):100-400
  集电极-发射极饱和电压:0.3V
  最高工作频率:300MHz
  功耗:10W
  结温范围:-55℃至+150℃

特性

FZT956TA具有较高的增益值,能够在高频条件下提供稳定的信号放大能力。
  它还拥有较低的饱和电压,这有助于减少功率损耗并提高效率。
  此外,该晶体管支持较宽的工作温度范围,确保了其在恶劣环境下的可靠性。
  由于其高频特性和低噪声性能,这款晶体管适用于多种应用场景,例如高频振荡器、射频放大器以及高速开关电路。
  FZT956TA的封装形式也使其易于安装和集成到各种电路设计中。

应用

FZT956TA主要应用于高频放大器、射频模块、开关电源、脉宽调制电路等领域。
  在无线通信设备中,它可以作为信号放大的关键元件;在音频设备中,这款晶体管可以用于前置放大器以提高信噪比。
  同时,它也被广泛用于工业控制、消费类电子产品以及汽车电子系统中的高频开关应用。

替代型号

FZT956, BFQ956, NTE137

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FZT956TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)200V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)370mV @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1A,5V
  • 功率 - 最大3W
  • 频率 - 转换110MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FZT956TR