FZ0290TP 时间：2025/8/25 4:38:22 阅读：18

FZ0290TP 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率的电源转换应用而设计，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各类电源管理电路中。FZ0290TP 采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和电流承载能力。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：连续 10A（Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 29mΩ（VGS=10V，ID=5A）
　　功率耗散（PD）：40W（Tc=25℃）
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

FZ0290TP 以其低导通电阻（RDS(on)）著称，能够在高电流工作条件下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。其快速开关特性使其适用于高频开关电源应用，减少开关损耗并提高响应速度。此外，该器件具备较高的热稳定性，能够在较高的环境温度下可靠工作，适合工业级和车载应用。FZ0290TP 还具备良好的抗雪崩能力，能够在负载突变或瞬态条件下保持稳定工作，增强系统的可靠性。
　　在栅极驱动方面，FZ0290TP 支持标准的 10V 栅极驱动电压，也可在较低的 VGS 电压下工作，适应多种驱动电路设计。其封装形式 TO-252 具有良好的散热性能，便于 PCB 布局和热管理。此外，该器件的制造工艺采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了优异的电气性能和一致性。

应用

FZ0290TP 广泛应用于各类电源管理系统中，包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池充电电路、UPS（不间断电源）、服务器电源、电信设备电源以及汽车电子系统。由于其优异的导通性能和热稳定性，特别适用于需要高效率和高可靠性的场合，如工业自动化、通信设备、便携式设备电源管理等领域。