时间：2025/8/13 18:19:12
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FXN40N20是一款N沟道增强型功率MOSFET，常用于电源管理和功率转换应用。该器件由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造，具有低导通电阻、高电流容量和良好的热性能。其设计适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。FXN40N2020封装为TO-220，便于散热和安装。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：200V
漏极电流（Id）：40A（在Tc=25℃时）
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（最大值，在Vgs=10V时）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
功率耗散（Pd）：160W
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：TO-220
FXN40N20具有多项优异的电气和热性能，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大漏极电流为40A，在高负载条件下仍能保持稳定工作。此外，其高达200V的漏源电压使其适用于多种高压应用。TO-220封装提供了良好的散热能力，有助于在高功率环境下维持较低的结温，延长器件寿命。
该MOSFET的栅极驱动特性也较为优异，栅极阈值电压范围为2V至4V，使得其可以与标准逻辑电平驱动器兼容。同时，其高功率耗散能力（160W）确保了在连续高负载工作下的可靠性。FXN40N20还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了在高压瞬态条件下的稳定性。
FXN40N20广泛应用于多种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。由于其高耐压能力和低导通电阻，特别适用于高效能电源转换器和工业控制设备。此外，该器件也可用于电池管理系统、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等高可靠性应用场景。
FQA40N20、IRF460、FDP40N20、FDPF40N20
