类型：MOSFET
　　沟道类型：N 沟道
　　最大漏源电压 (Vds)：20V
　　最大栅源电压 (Vgs)：12V
　　最大连续漏极电流 (Id)：4A
　　导通电阻 (Rds(on))：30mΩ @ Vgs=4.5V；45mΩ @ Vgs=2.5V
　　功耗 (Pd)：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-26
　　安装类型：表面贴装
　　引脚数：6
　　阈值电压 (Vth)：0.65V 至 1.5V
　　最大漏极功耗：300mW
　　最大漏极电流（脉冲）：16A

BCT2028EUK25-TR 具有多个关键特性，使其适用于各种高性能电子应用。首先，其低导通电阻 (Rds(on)) 确保了在导通状态下具有极低的功率损耗，从而提高能效并减少散热需求。在 Vgs 为 4.5V 时，Rds(on) 仅为 30mΩ，而在较低的栅极电压（例如 2.5V）下，Rds(on) 为 45mΩ，这使得该器件能够在低电压控制系统中使用，如电池供电设备。此外，该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 4A，短时间脉冲电流可高达 16A，使其适用于中等功率负载的应用。
　　该器件采用 SOT-26 小型封装，便于在空间受限的 PCB 设计中使用。SOT-26 是一种广泛使用的表面贴装封装，具有良好的热管理和电气性能。此外，BCT2028EUK25-TR 的工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，适用于各种严苛环境条件下的工业和汽车应用。
　　该 MOSFET 的栅极阈值电压（Vth）在 0.65V 至 1.5V 之间，表明其可以在较低的栅极驱动电压下工作，适用于由低电压微控制器或逻辑 IC 直接驱动的场景。此外，其最大栅源电压为 12V，确保了在不同驱动条件下器件的稳定性和可靠性。
　　另一个关键特性是其高开关速度，适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流应用。这使得 BCT2028EUK25-TR 可用于便携式设备的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源系统。

BCT2028EUK25-TR MOSFET 适用于多种电子应用，特别是在需要高效功率控制和转换的场景中。常见应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、LED 驱动电路、电源管理模块以及便携式电子产品中的开关电源设计。此外，该器件也常用于工业自动化设备、智能电表、手持式测试仪器以及汽车电子系统中的电源管理单元。
　　在电源管理系统中，BCT2028EUK25-TR 可用于实现高效的负载开关控制，允许或阻止电源流向特定子系统，从而优化整体功耗。在电池供电设备中，该 MOSFET 可用于防止反向电流流动，提高电池寿命和系统稳定性。此外，在电机控制应用中，它可以作为 H 桥电路的一部分，实现对直流电机方向和速度的精确控制。

Si2302DS、FDN340P、IRLML2502、2N7002、DMN6024LVT-7