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FX50SMJ 发布时间 时间:2025/12/28 3:46:58 查看 阅读:11

FX50SMJ是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),采用表面贴装SMA(DO-214AC)封装。该器件专为高效率、高频整流应用而设计,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及极性保护电路中。FX50SMJ的核心优势在于其低正向压降和快速反向恢复特性,这使其在降低系统功耗、提高能效方面表现出色。该二极管的额定平均正向整流电流为5.0A,最大重复峰值反向电压为50V,适用于中低压直流电源系统。由于采用了肖特基结构,其载流子传输机制以多数载流子为主,因此不存在少数载流子存储效应,从而实现了极快的开关速度和极短的反向恢复时间。FX50SMJ具有良好的热稳定性和可靠性,能够在-55°C至+150°C的结温范围内正常工作,适合在严苛的工业与消费类电子环境中使用。此外,其SMA封装形式便于自动化贴片生产,有助于提升PCB组装效率并节省空间。

参数

类型:肖特基二极管
  封装/外壳:SMA(DO-214AC)
  平均正向整流电流(Io):5.0A
  最大重复峰值反向电压(VRRM):50V
  峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(8.3ms单半正弦波)
  最大正向压降(VF):0.58V @ 5.0A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):0.5mA @ 50V, 25°C;10mA @ 50V, 125°C
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  储存温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  热阻(RθJA):约50°C/W(典型值,依PCB布局而定)
  反向恢复时间(trr):典型值 < 10ns

特性

FX50SMJ的最显著特性之一是其低正向导通压降,在5.0A电流下典型值仅为0.58V,这一性能有效减少了导通期间的能量损耗,提升了电源系统的整体效率。低VF对于电池供电设备或高密度电源模块尤为重要,能够显著延长续航时间并减少散热需求。该特性源于其采用的肖特基金属-半导体结结构,与传统的PN结二极管相比,无需克服P-N结的内建电势,因而具备更优的导通特性。此外,由于肖特基二极管主要依靠多数载流子(电子)进行导电,几乎不涉及少数载流子的注入与复合过程,因此不存在反向恢复电荷(Qrr)积累问题,反向恢复时间(trr)极短,通常小于10纳秒。这一特性使其非常适合用于高频开关电路,如同步整流拓扑、PWM控制器输出级等,可有效抑制开关瞬态引起的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升系统稳定性。
  另一个关键特性是其高电流承载能力与热稳定性。FX50SMJ可在连续5.0A的正向电流下工作,并能承受高达150A的非重复浪涌电流,具备较强的抗冲击能力,适用于存在启动浪涌或负载突变的应用场景。其SMA封装采用铜合金引线框架和内部键合工艺,确保了良好的导热路径和机械强度。器件的最大工作结温可达150°C,表明其在高温环境下仍能保持可靠运行,适合用于紧凑型高功率密度设计。此外,FX50SMJ符合RoHS环保标准,无铅(Pb-free)且兼容无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环保和制造兼容性的要求。其反向漏电流在高温下虽有所上升(125°C时最大10mA),但在大多数应用中仍处于可接受范围,设计时需结合散热措施进行优化。

应用

FX50SMJ广泛应用于各类中低电压直流电源系统中,尤其适合需要高效、高频整流的场合。在开关模式电源(SMPS)中,它常被用作次级侧整流二极管,替代传统快恢复二极管以降低导通损耗,提升转换效率。在DC-DC降压或升压转换器中,FX50SMJ可用于续流(flyback)或箝位(clamp)功能,帮助实现平滑的电流切换并防止电压反冲。其快速响应能力也使其适用于反极性保护电路,安装在电源输入端以防止因电池或电源接反而损坏后级电路。此外,在LED驱动电源、适配器、充电器、服务器电源模块以及工业控制设备中,FX50SMJ因其高可靠性和紧凑封装而备受青睐。在太阳能逆变器或UPS不间断电源系统中,该器件可用于旁路或防逆流功能,确保能量单向流动。由于其表面贴装特性,特别适合自动化生产线,广泛用于消费类电子产品如笔记本电脑、路由器、智能家居设备等的主板电源管理部分。在汽车电子领域,尽管FX50SMJ并非车规级器件,但在部分车载辅助电源或非安全相关模块中也可找到其应用,前提是工作温度和电气应力在其规格范围内。总之,FX50SMJ凭借其优异的电学性能和成熟的封装技术,已成为中等功率电源设计中的常用元件之一。

替代型号

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