FW256-TL-E 时间：2025/12/28 10:19:25 阅读：8

FW256-TL-E是一款由Fortune Semiconductor（华润微电子）生产的N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽栅极工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性。该器件专为高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用设计，在效率要求较高的便携式设备和工业控制领域中表现出色。其封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，便于在紧凑的PCB布局中使用，适合自动化贴片生产。由于尺寸小、性能稳定，FW256-TL-E广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、LED驱动模块及电池管理系统中。
　　该MOSFET的工作电压等级为20V，最大连续漏极电流可达3.4A（在TC=25°C条件下），能够承受瞬态大电流冲击，适用于低电压大电流开关场景。器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素（Halogen-free）和绿色产品认证，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。此外，FW256-TL-E具备良好的抗静电能力（HBM ESD rated > 2kV），提高了在实际装配和运行中的可靠性。

参数

型号：FW256-TL-E
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：3.4A
　　脉冲漏极电流（IDM）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：35mΩ 最大值
　　导通电阻（RDS(on)）@2.5V VGS：50mΩ 最大值
　　阈值电压（Vth）：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容（Ciss）：290pF @ 1MHz
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：7ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：SOT-23

特性

FW256-TL-E采用高性能沟槽栅技术，显著降低了导通电阻与开关损耗，从而提升整体系统效率。其超低RDS(on)值在低输入电压下仍能保持优异性能，特别适合用于3.3V或5V供电系统的同步整流或负载开关控制。该器件具备快速开关响应能力，开关延迟时间极短，有利于实现高频PWM调制下的精确控制，减少能量损耗并降低温升。得益于优化的晶圆结构设计，FW256-TL-E拥有出色的热传导性能，即使在高负载条件下也能维持稳定的电气特性，避免因温度上升导致性能下降的问题。
　　此外，该MOSFET具有较强的抗干扰能力和稳定性，在复杂电磁环境中仍能可靠工作。内置的体二极管可提供反向电流路径，保护外部电路免受感性负载反电动势的影响，常用于驱动继电器、马达或LED灯串时起到续流作用。SOT-23封装不仅节省空间，还具备良好的散热性能，结合PCB上的适当铜箔面积设计，可有效将热量传导至板面，进一步提升功率处理能力。器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压烘烤（HAST）和温度循环试验，确保长期使用的安全性和一致性。这些综合优势使得FW256-TL-E成为中小功率电源管理方案中的理想选择。
　　在制造工艺方面，FW256-TL-E基于华润微电子成熟的BCD工艺平台开发，保证了产品的良率与一致性。同时支持大批量供货，适用于各类消费电子与工业应用场景。其引脚兼容性强，可以替代多个国际品牌同类产品，有助于客户简化选型流程和供应链管理。

应用

主要用于便携式电子设备中的电源开关与电池管理，例如智能手机、蓝牙耳机、智能手表等产品中的负载开关模块；广泛应用于DC-DC降压变换器、同步整流电路以及电压调节模块中，以提高转换效率；适用于LED背光驱动与恒流源控制电路，实现高效节能的照明解决方案；可用于小型电机驱动电路，如微型风扇、振动马达等低电压驱动场合；作为通用N沟道MOSFET，也常见于各类信号切换、逻辑控制与隔离电路中，满足多种数字与模拟开关需求；此外，该器件还可用于USB充电管理、过流保护电路及热插拔控制等场景，提供快速响应与安全保障。