类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：4A
　　最大漏-源电压（Vds）：30V
　　最大栅-源电压（Vgs）：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 0.045Ω（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FW-4+ MOSFET 的核心特性之一是其较低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。在高频率开关应用中，这种低 Rds(on) 特性尤为重要。此外，FW-4+ 采用了先进的平面工艺技术，具有良好的热性能和可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常可在 4.5V 到 20V 之间工作，使其适用于多种驱动电路设计。FW-4+ 还具备较快的开关速度，有助于减少开关损耗，适用于高频 DC-DC 转换器和同步整流器等应用。
　　在热管理方面，FW-4+ 采用 TO-252 封装，具有较好的散热性能，能够在有限的空间内提供较高的功率密度。此外，该器件还具有较强的短时过载能力，能够在瞬态条件下提供可靠的性能。

FW-4+ 常用于各类电源管理系统，包括电池充电器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制器以及电源管理模块。由于其低导通电阻和高频开关特性，FW-4+ 特别适合用于需要高效率和小型化设计的便携式电子设备，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统。
　　在工业应用中，FW-4+ 可用于自动化控制系统的开关电源、LED 驱动器和传感器电源模块。此外，该器件也可用于音频放大器中的电源开关，以实现高效的电源管理。

FDP4N30、IRFZ44N、Si4410BDY、FDN340P