时间：2025/9/2 18:44:48
阅读：15
2N3798A是一种N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高功率密度的电子电路中。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和高耐压特性，适合用于开关电源、电机控制、负载开关和逆变器等应用领域。2N3798A具有低导通电阻、高电流容量和快速开关速度的特点，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：约0.075Ω（典型值）
最大功耗（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
2N3798A具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件能够承受高达100V的漏源电压，适用于多种中高压应用场合。2N3798A的最大连续漏极电流为16A，确保其在高负载条件下依然能够稳定运行。器件的快速开关特性有助于减少开关损耗，从而进一步提高效率并降低发热。TO-220封装提供了良好的散热性能，使得该MOSFET能够在较高的功率水平下长期稳定工作。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至+175°C）也增强了其在恶劣环境中的可靠性。栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V或12V驱动电路，简化了驱动电路设计。
2N3798A广泛应用于各种高功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）、负载开关以及工业自动化设备。在开关电源中，2N3798A可用于高频开关电路，以提高转换效率并减小电源体积。在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥电路以实现电机的双向驱动。此外，其高电流容量和低导通电阻也使其适用于高功率LED驱动、太阳能逆变器及电动车控制器等新兴领域。
IRFZ44N, STP16NF10, FDPF16N10, SiHF16N100
