时间:2025/12/27 16:44:31
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FVDDFM1.25-250A是一款由Firstek(富捷电子)推出的TVS(瞬态电压抑制)二极管阵列器件,主要用于电路的静电放电(ESD)保护和瞬态过压防护。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备快速响应、低钳位电压和高可靠性等特点,适用于对敏感电子元件进行有效保护的应用场景。FVDDFM1.25-250A专为高速数据线路设计,例如USB接口、HDMI端口、以太网连接器以及其他需要防止ESD和雷击感应瞬变的信号线。其封装形式通常为小型化的DFN或SOD-523等贴片封装,便于在紧凑型消费类电子产品中使用。
这款TVS二极管阵列内部集成了多个双向或单向TVS单元,能够在正负方向上同时提供保护,确保在遭遇突发性高压脉冲时迅速导通并将多余能量泄放到地,从而维持被保护线路的安全工作电压范围。由于其具有较低的结电容(通常在0.5pF至1pF之间),因此不会对高速信号传输造成明显干扰,特别适合用于高频信号路径中的保护需求。此外,FVDDFM1.25-250A符合IEC 61000-4-2 Level 4(接触放电±8kV,空气放电±15kV)等国际电磁兼容标准,能够有效抵御日常环境中常见的静电威胁。
器件型号:FVDDFM1.25-250A
制造商:Firstek (富捷电子)
器件类型:TVS二极管阵列
通道数:2通道
工作电压(VRWM):1.25V
击穿电压(VBR):典型值1.4V
最大峰值脉冲电流(IPP):250A
钳位电压(VC):典型值2.8V @ IPP=250A
极性:双向
结电容(Cj):典型值0.8pF @ 0V
封装形式:DFN1006-3 或 SOD-523
响应时间:小于1ns
工作温度范围:-40°C 至 +125°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
FVDDFM1.25-250A具备卓越的瞬态电压抑制能力,能够在极短时间内响应并抑制来自外部环境的高能瞬变脉冲,如静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)以及雷击感应电压等。其核心优势在于超低的工作电压(仅1.25V)与极低的结电容(典型值0.8pF),这使得它非常适合应用于现代低电压、高速率的数据通信接口中,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的USB 2.0、HDMI、MIPI等信号线保护。
该器件采用双向结构设计,可在正负两个方向上均实现有效的过压保护,避免因反向电压冲击导致后级IC损坏。其钳位电压在250A峰值脉冲电流下仍能保持在2.8V以下,远低于大多数CMOS逻辑电路的绝对最大额定电压,从而有效防止栅氧击穿或其他永久性损伤。同时,由于其响应时间小于1纳秒,几乎可以做到“即时”动作,在瞬态事件发生的瞬间即可将电压限制在安全范围内。
FVDDFM1.25-250A还具有良好的热稳定性和长期可靠性,能够在宽温范围内(-40°C至+125°C)稳定工作,适应严苛的工业和消费类应用场景。其小型化封装不仅节省PCB空间,还支持自动化贴片生产,有助于提升制造效率和产品一致性。此外,该器件通过了RoHS环保认证,符合无铅焊接工艺要求,适用于绿色环保电子产品设计。整体来看,FVDDFM1.25-250A是一款高性能、高集成度的ESD保护解决方案,尤其适用于对信号完整性要求极高且供电电压持续降低的趋势下的先进电子系统。
FVDDFM1.25-250A广泛应用于各类便携式电子设备和高速通信接口中,主要用于防止静电放电(ESD)和其他瞬态过压事件对敏感集成电路造成的损害。典型应用包括智能手机和平板电脑中的USB OTG、Micro-USB、Type-C接口的数据线保护;也适用于高清音视频传输接口如HDMI、DisplayPort的差分信号对保护。此外,在无线耳机、智能手表、AR/VR头显等人机交互设备中,该器件可用于触摸屏控制器、传感器信号线的ESD防护。
在计算机与外设领域,FVDDFM1.25-250A可用于笔记本电脑的Thunderbolt端口、SD卡插槽、音频输入输出接口等位置,确保用户频繁插拔操作时不会引入静电损坏主控芯片。在工业控制和汽车电子中,尽管其主要定位为低压信号保护,但仍可应用于车载信息娱乐系统的辅助接口、CAN FD总线的非关键节点或摄像头模块的低速控制信号线上,提供额外的抗扰度保障。
由于其具备出色的高频特性与极低电容,该器件也非常适合射频前端模块、GPS天线馈线、Wi-Fi/BT共存线路等对信号衰减极为敏感的应用场合。在医疗电子设备中,例如便携式监护仪、血糖仪等需要频繁接触人体的装置,FVDDFM1.25-250A能够有效隔离人体携带的静电,提高设备使用的安全性与稳定性。总之,任何需要在1.25V左右工作电压下实现高效、可靠ESD保护的场景,都是FVDDFM1.25-250A的理想选择。
FVBDM1.25-250A
SM712-01
TPD1E10B09DPYR
ESDALC0524N2