时间：2025/6/23 22:55:41
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FV55X823K102EGG 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用先进的制造工艺，提供卓越的导通电阻和低栅极电荷特性，从而优化了效率和性能。其封装设计确保了良好的散热性能和高可靠性，适合在各种工业和消费电子领域中使用。
类型：MOSFET
封装：TO-263
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：40A
脉冲漏极电流(IDM)：160A
导通电阻(RDS(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
工作温度范围(TJ)：-55℃ to +175℃
FV55X823K102EGG 提供了非常低的导通电阻 RDS(on)，这有助于减少传导损耗并提高效率。
其低栅极电荷 Qg 设计使得驱动损耗降低，非常适合高频应用。
该器件具有出色的热稳定性和可靠性，能够承受较高的结温范围。
封装设计支持高效的热量散发，进一步增强了其在功率密集型环境中的表现。
此外，该产品具备快速开关速度和抗雪崩能力，使其在严苛条件下也能保持稳定运行。
FV55X823K102EGG 广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电机驱动、太阳能逆变器以及各类工业控制设备中。
它特别适合需要高效功率转换和高频操作的应用场景，如电动汽车充电系统、不间断电源(UPS) 和家用电器中的功率管理模块等。
由于其优秀的电气特性和机械性能，也常用于通信设备和计算机外围设备的电源解决方案。
FV55X823K102EGP, FV55X823K102EGR
