时间：2025/5/7 15:15:10
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TK100S04N1L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和快速的开关特性。其封装形式通常为 TO-252（DPAK），适用于各种电源管理和电机驱动应用。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：100A
导通电阻：1.2mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：28nC（典型值）
开关时间：开启时间 9ns，关断时间 17ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功耗并提高效率。
2. 快速的开关速度，适合高频开关应用。
3. 高雪崩击穿能量能力，提升了器件的可靠性。
4. 具备短路保护功能，可增强系统稳定性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业需求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC 转换器及同步整流电路。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率管理模块。
IRFZ44N, FDP16N40L, STP100N04L
