时间：2025/6/6 0:48:54
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FV55N103J102EGG 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 Fairchild（现为 ON Semiconductor）公司生产的 MOSFET 系列。该型号主要应用于需要高效能和低导通电阻的场景。它具有出色的开关特性和较低的 Rds(on)，非常适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用。
这款器件采用了先进的制造工艺，确保了其在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。此外，其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK 类型，具体取决于制造商的实际设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：5.5A
导通电阻（Rds(on)）：7mΩ
栅极电荷：19nC
总功耗：80W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220
1. 高效的开关性能，适用于高频应用。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），减少传导损耗。
3. 快速开关速度，降低开关损耗。
4. 高雪崩能量能力，增强器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的需求。
6. 提供多种保护机制，包括过流保护和热关断功能。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机控制与驱动
4. 工业自动化设备中的负载切换
5. 电池管理系统（BMS）
6. LED 驱动器
7. 充电器和适配器
8. 可再生能源系统中的逆变器
FDP55N10,
IRF540N,
STP55NF10,
FQPF55N10
