时间：2025/5/19 9:21:12
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FV43X471K202EEG是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率和低功耗应用设计。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有极低的导通电阻和快速的开关特性，适合于各种电源管理场景，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用。
这款MOSFET具备增强型绝缘栅双极晶体管（E-Mode）结构，提供优异的热性能和电气稳定性，确保在严苛的工作条件下仍能保持高效运行。
型号：FV43X471K202EEG
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源电压）：40V
Rds(on)（导通电阻）：2.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：180A
Qg（栅极电荷）：28nC
Vgs（栅源电压）：±20V
f（工作频率）：最高支持1MHz
封装形式：TO-247-3L
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力，能够适应高频工作环境，减少开关损耗。
3. 高电流处理能力，支持高达180A的连续漏极电流，适用于大功率应用。
4. 优异的热性能，有助于提高长期可靠性并简化散热设计。
5. 提供出色的抗静电能力（ESD防护），确保在复杂环境下稳定运行。
6. 小巧的封装尺寸与高功率密度结合，便于集成到紧凑型设计中。
FV43X471K202EEG广泛应用于需要高效功率转换和低损耗的场景，具体包括：
1. 工业级DC-DC转换器和降压/升压电路。
2. 大功率电机驱动控制模块。
3. 负载开关和保护电路。
4. 新能源汽车中的电池管理系统（BMS）和逆变器。
5. 高效功率因数校正（PFC）电路。
6. 不间断电源（UPS）和服务器电源解决方案。
FV43X471K201EEG, FV43X471K203EEG
