FV43X332K202EFG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功耗并提升系统性能。
该芯片具有出色的热性能和电气稳定性,适用于要求苛刻的工作环境,同时其封装设计优化了散热性能,便于在紧凑型设计中使用。
型号:FV43X332K202EFG
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS):60V
最大栅源电压(V_GS):±20V
最大漏极电流(I_D):50A
导通电阻(R_DS(on)):2mΩ(典型值,在V_GS=10V条件下)
输入电容(Ciss):4700pF
开关时间:开启延迟时间(t_d(on))为8ns,关断传播时间(t_d(off))为12ns
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-247-3
1. 极低的导通电阻R_DS(on),有效减少传导损耗,提高整体效率。
2. 快速开关速度,支持高频应用,减少开关损耗。
3. 高度可靠的热性能和电气稳定性,能够在恶劣环境下长期运行。
4. 具备优异的雪崩能力和抗静电能力(ESD),增强了系统的耐用性。
5. 封装设计支持高效的散热管理,适合高功率密度应用。
6. 符合RoHS标准,绿色环保,无有害物质使用。
7. 可靠的短路耐受能力,确保安全运行。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或高频PWM控制。
3. 电机驱动中的逆变桥臂或斩波电路。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车动力系统。
6. 各种需要高效功率转换的电子设备,包括服务器电源、通信电源和消费类电子产品。
FV43X332K201EFG, IRF3710, FDP55N06L